文献

J-GLOBAL ID：201702276999192770   整理番号：17A0481328

亜鉛イオンをドープし酸素中で焼なましたシリコンの研究

Study of Silicon Doped with Zinc Ions and Annealed in Oxygen

著者 (4件)： PRIVEZENTSEV V. V. (Inst. of Physics and Technol., Russian Acad. of Sci., Moscow, RUS) ,  KIRILENKO E. P. (National Res. Univ. Electronic Technol. “MIET”, Moscow, RUS) ,  GORYACHEV A. N. (National Res. Univ. Electronic Technol. “MIET”, Moscow, RUS) ,  BATRAKOV A. A. (National Res. Univ. “MEI”, Moscow, RUS)
資料名： Semiconductors  (Semiconductors)
巻： 51  号： 2  ページ： 178-183  発行年： 2017年02月 
JST資料番号： T0093A  ISSN： 1063-7826  CODEN： SMICES  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シリコン中に半導体ナノ粒子を作ることにより様々な新奇な特性が期待できるがその手段として有力なのは通常の限界濃度をはるかに超す量の溶質を入れられるイオン注入である。ここでは注入に続く酸素中焼きなましにより光エレクトロニクス材料として興味がある酸化亜鉛ナノ粒子の形成を試みた。シリコン表面層と析出物形成を室温エネルギー50eVで線量5×10¹⁶cm^-2で⁶⁴Zn⁺イオンを注入し,次いで400から900°Cで酸素中で焼なましたCzochrafski法のn-Si(100)の研究結果を報告する。表面は電子顕微鏡で見たが表面層の可視化はAuger電子分光を用いた深さ方向元素マッピングで行った。シリコン中の不純物分布を飛行時間法二次イオン質量分析で解析した。X線光電子分光法を用いてシリコン母材と亜鉛及び酸素不純物の化学状態を調べ,注入および焼なまし試料の相組成を厳密化した。亜鉛の注入後に亜鉛含有量の極大がウエハ表面と70nm深さの二か所で観測された。この場合には直径約10nmの亜鉛金属相と酸化亜鉛相のナノ粒子が表面及び表面層に形成した。酸素中の焼なましでZnO・Zn₂SiO₄とZn・ZnO相を表面と深さ50nmにそれぞれ検出した。

シソーラス用語： *亜鉛 ,  *イオン注入 ,  *焼なまし ,  雰囲気 ,  Auger分光法 ,  濃度分布 ,  二次イオン質量分析 ,  相組成 ,  *ナノ粒子 ,  *ケイ素 ,  *酸素 ,  Czochralski法 ,  不純物分布 ,  X線光電子分光法 ,  酸化亜鉛 ,  ケイ酸塩 ,  亜鉛化合物
準シソーラス用語： ケイ酸亜鉛 ,  元素マッピング ,  *酸素雰囲気

分類 (2件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E)

タイトルに関連する用語 (6件)： 亜鉛イオン ,  ドープ ,  酸素 ,  焼なまし ,  シリコン ,  研究