文献

J-GLOBAL ID：201702277127410806   整理番号：17A0825216

ピエゾ抵抗マイクロマシン片持梁における総電離線量効果【Powered by NICT】

Total-Ionizing-Dose Effects in Piezoresistive Micromachined Cantilevers

著者 (15件)： Gong Huiqi (Department of Electrical Engineering and Computer Science, Vanderbilt University, Nashville, TN, USA) ,  Liao Wenjun (Department of Electrical Engineering and Computer Science, Vanderbilt University, Nashville, TN, USA) ,  Zhang En Xia (Department of Electrical Engineering and Computer Science, Vanderbilt University, Nashville, TN, USA) ,  Sternberg Andrew L. (Department of Electrical Engineering and Computer Science, Vanderbilt University, Nashville, TN, USA) ,  McCurdy Michael W. (Department of Electrical Engineering and Computer Science, Vanderbilt University, Nashville, TN, USA) ,  Davidson Jim L. (Department of Electrical Engineering and Computer Science, Vanderbilt University, Nashville, TN, USA) ,  Reed Robert A. (Department of Electrical Engineering and Computer Science, Vanderbilt University, Nashville, TN, USA) ,  Fleetwood Daniel M. (Department of Electrical Engineering and Computer Science, Vanderbilt University, Nashville, TN, USA) ,  Schrimpf Ronald D. (Department of Electrical Engineering and Computer Science, Vanderbilt University, Nashville, TN, USA) ,  Shuvra Pranoy Deb (Department of Electrical and Computer Engineering, University of Louisville, Louisville, KY, USA) ,  Lin Ji-Tzuoh (Department of Electrical and Computer Engineering, University of Louisville, Louisville, KY, USA) ,  McNamara Shamus (Department of Electrical and Computer Engineering, University of Louisville, Louisville, KY, USA) ,  Walsh Kevin M. (Department of Electrical and Computer Engineering, University of Louisville, Louisville, KY, USA) ,  Alphenaar Bruce W. (Department of Electrical and Computer Engineering, University of Louisville, Louisville, KY, USA) ,  Alles Michael L. (Department of Electrical Engineering and Computer Science, Vanderbilt University, Nashville, TN, USA)
資料名： IEEE Transactions on Nuclear Science  (IEEE Transactions on Nuclear Science)
巻： 64  号： 1  ページ： 263-268  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0235A  ISSN： 0018-9499  CODEN： IETNAE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： p型Si10keV X線照射に作製したGaAsT字型エッジ,非対称,ピエゾ抵抗,微細加工片持梁の応答を評価した。共振周波数は2.1Mrad(SiO_2)で25ppmにより減少し,照射後アニーリング中に部分的に回復する。結果の説明は放射線誘発受容体脱不動態化に基づいていることを提案した。これは以前に不動態化アクセプタからの放射線誘起正孔放出水素が起こり,キャリア濃度を増加させ,特に表面に近づいた。増加したキャリア濃度はYoung率を減少させ,カンチレバー共振周波数の減少をもたらした。有限要素シミュレーションは,表面領域の減少Young率の影響は,照射されたデバイスの共振周波数で測定した減少と一致することを示した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 共振周波数 ,  *マイクロマシン ,  計算機シミュレーション ,  不動態化 ,  キャリア密度 ,  焼なまし ,  *片持梁 ,  アクセプタ ,  非対称性 ,  Young率 ,  放射線 ,  正孔 ,  微細加工
準シソーラス用語： 有限要素シミュレーション ,  *総電離線量 ,  *圧電抵抗 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E)

タイトルに関連する用語 (4件)： ピエゾ抵抗 ,  マイクロマシン ,  片持梁 ,  総電離線量