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J-GLOBAL ID：201702277200645941   整理番号：17A1648994

LDD注入を用いたRingFETの性能最適化【Powered by NICT】

Performance optimization of RingFET using LDD implantation

著者 (4件)： Shobana V. M. (Dept. of ECE, SSN College of Engineering, Chennai, India) ,  Srinivasan R. (Dept. of IT, SSN College of Engineering, Chennai, India) ,  Vaithianathan V. (Dept. of ECE, SSN College of Engineering, Chennai, India) ,  Nagarajan K. K. (Dept. of ECE, SSN College of Engineering, Chennai, India)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： ICNETS2  ページ： 180-183  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 半導体産業はCMOSスケーリングを延長するためのさまざまな新しいデバイス構造探求した。円形形状素子は,最近平面性を損なうことなく,短チャネル効果に対する免疫を改善するために提案した。本研究では,RingFETと呼ばれるそのような円形素子を考慮し,低濃度ドープドレイン(LDD)注入によるその性能の向上は,3D TCADシミュレーションを用いて求めた。RingFETは円形ゲート形状,主に側界面領域の除去,誘導された漏れを捕捉するために従来のMOSFET構造に比べて優れた短チャネル耐性を持つ。は,オフ電流を減少させ,短チャネル領域におけるより良いRingFETを形成している。RingFET構造は平面構造をとっているが,MOSFETに関してリソグラフィーだけ異なっていた。RingFETを探究するための興味ある装置。LDDとその変異体の影響を,3D TCADシミュレーションを用いてDCおよびAC解析に関して調べた。考察したパラメータは,ON電流,OFF電流,I_on/I_off比,サブ閾値スイング(SS),トランスコンダクタンス(g_m)と単一利得周波数(fT)である。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 三次元 ,  平坦性 ,  平面構造 ,  シミュレーション ,  相互コンダクタンス ,  リソグラフィー ,  素子構造 ,  半導体工業 ,  利得 ,  *短チャネル効果 ,  電流 ,  MOSFET
準シソーラス用語： サブ閾値スイング ,  短チャネル ,  TCAD , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (2件)： 注入 ,  性能最適化