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J-GLOBAL ID：201702277226557319   整理番号：17A1493297

VO_2装置における電流誘起金属-絶縁体転移のI-V特性に関する研究【Powered by NICT】

Investigation on I-V characteristics of current induced metal insulator transition in VO₂ device

著者 (6件)： Lee Gi Yong (Department of Physics, Yonsei University, Seoul 120-749, Republic of Korea) ,  Kim Howon (Department of Physics, Yonsei University, Seoul 120-749, Republic of Korea) ,  Mun Bongjin Simon (Department of Physics and Photon Science, School of Physics and Chemistry, Gwangju Institute of Science and Technology, Gwangju 500-712, Republic of Korea) ,  Park Changwoo (Division of Applied Chemistry and Biotechnology, Hanbat National University, Daejeon 34158, Republic of Korea) ,  Park Changwoo (Advanced Nano Products, Sejong 30077, Republic of Korea) ,  Ju Honglyoul (Department of Physics, Yonsei University, Seoul 120-749, Republic of Korea)
資料名： Current Applied Physics  (Current Applied Physics)
巻： 17  号： 11  ページ： 1444-1449  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1579A  ISSN： 1567-1739  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二端子平面VO_2薄膜デバイスのI-V特性を研究したデバイスは,電流誘起された金属-絶縁体転移(I MIT)を受けた。IMITはデバイス抵抗率は~7Ωcmに達したときに発生し,金属粒子が絶縁性マトリックス内の初期導電性電流経路を形成した。IMITに必要な遷移時間は~1400μs(R_EXT=20Ω)に対する外部抵抗,R_EXT,一連のデバイスに接続された,すなわち~390μs(R_EXT=5Ω)の増加と共に増加した。遷移時間はVO_2デバイスの静電容量放電からのRC時間遅延に密接に関連している。IMIT中,放電電流の量は~100mA,IMIT直前電流より大きい大きさと推定された。IMIT後,電流密度は1.1×10~6cm~2から6.5×10~5cm~2に,大きな温度は~300°Cまで変化する。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *電流電圧特性 ,  *電流 ,  導電性 ,  放電 ,  電流密度 ,  *金属-絶縁体転移 ,  電気抵抗率 ,  *絶縁体 ,  *電流発生 ,  静電容量
準シソーラス用語： 放電電流 ,  遷移時間 ,  電流経路 ,  金属粒子 ,  薄膜素子 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： VO_2 ,  金属-絶縁体転移 ,  I-V特性

分類 (2件)： 半導体-金属接触  (BM03084G) ,  光導電素子  (NC03083X)

タイトルに関連する用語 (4件)： 電流誘起 ,  金属-絶縁体転移 ,  I-V特性 ,  研究