文献

J-GLOBAL ID：201702277264418755   整理番号：17A1158949

即時超高速レーザ励起下の半導体における量子応力と普遍的原子間力による巨大格子膨張【Powered by NICT】

Giant lattice expansion by quantum stress and universal atomic forces in semiconductors under instant ultrafast laser excitation

著者 (10件)： Chen Nian-Ke (State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics, College of Electronic Science and Engineering, Jilin University, Changchun 130012, China. [e-mail] [e-mail]) ,  Han Dong ,  Li Xian-Bin ,  Liu Feng ,  Bang Junhyeok ,  Wang Xue-Peng ,  Chen Qi-Dai ,  Wang Hai-Yu ,  Zhang Shengbai ,  Sun Hong-Bo
資料名： Physical Chemistry Chemical Physics  (Physical Chemistry Chemical Physics)
巻： 19  号： 36  ページ： 24735-24741  発行年： 2017年 
JST資料番号： A0271C  ISSN： 1463-9076  CODEN： PPCPFQ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： フェムト秒レーザ(fs)は,照射後の非常に短い時間で電子温度と格子温度間の不均衡を生じさせる。この比較的低い温度の格子系では,材料特性は熱平衡下のものと大幅に異なる。特に,第一原理計算では,半導体への二つの一般的機械的効果を明らかにした。第一に,励起は格子の負圧を誘起し,超硬ダイヤモンドでさえ,>10%の膨張を生じさせる。第二に,それは,完全な,また歪んだ格子の両方で,原子において不均一な局所的力を誘起させる。Ge₂Sb₂Te₅やGeTe合金の相変化記憶ケースで,このようなランダムな力は結晶から非晶質への同時相転移を生じさせ,より迅速なデータ書込を可能にする。更に,時間依存密度汎関数理論により,これら励起効果は裏付けられた。本研究は,かなり大きい非原子規模のものにしばしば応用される従来の融解法やアブレーション法に依存するよりも,原子レベル構造制御のfsレーザ法の進歩において重要な段階で有り得る。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 超硬材料 ,  *テルル合金 ,  *ゲルマニウム含有合金 ,  *アンチモン含有合金 ,  光ディスク ,  *半導体 ,  *フェムト秒レーザ ,  電子温度 ,  非平衡状態 ,  レーザ励起 ,  負圧 ,  ダイヤモンド ,  相転移 ,  結晶 ,  非晶質 ,  データ書込
準シソーラス用語： 相変化記録ディスク ,  格子温度 ,  不均衡 ,  *機械的応力 ,  *格子膨張 ,  第一原理計算 ,  局所応力 ,  時間依存密度汎関数理論 ,  構造制御 ,  原子スケール ,  原子間力

分類 (6件)： 記憶装置  (JC04060F) ,  非鉄金属材料  (WE03000D) ,  金属の結晶構造  (BK06000V) ,  レーザの応用  (BD04100V) ,  分子の電子構造  (BH05010Q) ,  固相転移  (BL04020G)

タイトルに関連する用語 (6件)： 超高速レーザ ,  励起 ,  量子 ,  応力 ,  原子間力 ,  格子膨張