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J-GLOBAL ID：201702277270830038   整理番号：17A0473194

光アドレス可能な電位差測定センサのアドレス可能性に向けて:照射領域とクロストークのシャント効果【Powered by NICT】

Towards addressability of light-addressable potentiometric sensors: Shunting effect of non-illuminated region and cross-talk

著者 (10件)： Poghossian A. (Institute of Nano- and Biotechnologies (INB), FH Aachen, Campus Juelich, 52428 Juelich, Germany) ,  Poghossian A. (Peter-Gruenberg Institute (PGI-8), Research Centre Juelich, 54245 Juelich, Germany) ,  Werner C.F. (Institute of Nano- and Biotechnologies (INB), FH Aachen, Campus Juelich, 52428 Juelich, Germany) ,  Werner C.F. (Department of Electronic Engineering and Department of Biomedical Engineering, Tohoku University, 6-6-05 Aza-Aoba, Aramaki, Aoba-ku, Sendai 980-8579, Japan) ,  Buniatyan V.V. (Department of Microelectronics and Biomedical Devices, State Engineering University of Armenia, 0009 Yerevan, Armenia) ,  Wagner T. (Institute of Nano- and Biotechnologies (INB), FH Aachen, Campus Juelich, 52428 Juelich, Germany) ,  Miamoto K. (Department of Electronic Engineering and Department of Biomedical Engineering, Tohoku University, 6-6-05 Aza-Aoba, Aramaki, Aoba-ku, Sendai 980-8579, Japan) ,  Yoshinobu T. (Department of Electronic Engineering and Department of Biomedical Engineering, Tohoku University, 6-6-05 Aza-Aoba, Aramaki, Aoba-ku, Sendai 980-8579, Japan) ,  Schoning M.J. (Institute of Nano- and Biotechnologies (INB), FH Aachen, Campus Juelich, 52428 Juelich, Germany) ,  Schoning M.J. (Peter-Gruenberg Institute (PGI-8), Research Centre Juelich, 54245 Juelich, Germany)
資料名： Sensors and Actuators. B. Chemical  (Sensors and Actuators. B. Chemical)
巻： 244  ページ： 1071-1079  発行年： 2017年 
JST資料番号： T0967A  ISSN： 0925-4005  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： LAPS(光アドレス可能電位差測定センサ)プラットフォームは細胞代謝検出と化学イメージングまでpHおよびイオン/検体濃度測定の範囲の多くの用途を有する化学的および生物学的センシングのための最も魅力的な方法の一つである。しかし,一般的にLAPS測定は空間的に分解されたことが知られているが,LAPSデバイスの光アドレス可能性の特徴は,これまで詳細に検討されていない。本研究では,LAPSの拡張電気等価回路モデルを提示し,非照射領域の容量結合による可能なクロストーク効果を考慮している。LAPSデバイスの測定した光電流と位置決め精度に及ぼす非照射領域のシャント効果を研究した。が示されているが,測定した光電流は,照射領域での局部的な界面電位だけでなく非照射領域における可能な界面電位の変化により決定され,クロストーク効果を生ずるであろうことを示した。これらの知見は,モデル系としてのペニシリン感受性多重スポットLAPSと金属-絶縁体-半導体LAPSの実験的研究により支持された。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *電位差測定法 ,  等価回路 ,  絶縁材料 ,  センサ ,  ペニシリン類 ,  光電流 ,  *クロストーク ,  濃度測定 ,  絶縁体
準シソーラス用語： *電位差 ,  実験研究 ,  界面電位 ,  容量結合 ,  等価回路モデル ,  LAPS ,  *アドレス , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： アドレス可能電位差センサ(LAPS) ,  等価回路 ,  非照射領域 ,  バイパス電流 ,  光電流 ,  クロストーク

分類 (1件)： 分析機器  (CC02020S)

タイトルに関連する用語 (6件)： アドレス ,  電位差測定 ,  可能性 ,  照射領域 ,  クロストーク ,  シャント