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J-GLOBAL ID：201702277306186569   整理番号：17A1646252

スケールFinFETの三次元サブバンドシミュレーション【Powered by NICT】

Three-dimensional multi-subband simulation of scaled FinFETs

著者 (5件)： Donetti L. (Departamento de Electro ́nica and CITIC, Universidad de Granada, Granada, Spain) ,  Sampedro C. (Departamento de Electro ́nica and CITIC, Universidad de Granada, Granada, Spain) ,  Ruiz F. G. (Departamento de Electro ́nica and CITIC, Universidad de Granada, Granada, Spain) ,  Godoy A. (Departamento de Electro ́nica and CITIC, Universidad de Granada, Granada, Spain) ,  Gamiz F. (Departamento de Electro ́nica and CITIC, Universidad de Granada, Granada, Spain)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： ESSDERC  ページ： 180-183  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 非平面デバイスに対する自己無撞着多重サブバンド集団モンテカルロシミュレータを用いたスケールFinFETの静的挙動をシミュレートした。三次元デバイス構造を考慮できるようにするために,2次元Schroedinger方程式はいくつかの断面積で解いた;アンサンブルモンテカルロ法による3次元Poisson方程式と1次元Boltzmann輸送方程式の連成解は自己無撞着性を保証する。このシミュレータは,輸送方向に垂直な面内の量子閉じ込めを考慮して適切に異なるフィンアスペクト比の影響を検討することを可能にした。は種々の幾何学的パラメータの関数,電荷分布に及ぼす量子閉じ込めの影響とスケーリング挙動として伝達特性を調べ,10nmのチャンネル長までの。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： Poisson方程式 ,  断面積 ,  モンテカルロ法 ,  電荷分布 ,  シミュレータ ,  *三次元 ,  アスペクト比 ,  Schroedinger方程式 ,  量子閉込め ,  素子構造 ,  フィン
準シソーラス用語： チャネル長 ,  輸送方程式 ,  *サブバンド ,  *FinFET , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 対流・放射熱伝達  (PA02030K) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (2件)： スケール ,  FinFET