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J-GLOBAL ID:201702277433727814   整理番号:17A0473454

効率的な光触媒H_2生産のための容易な水熱変換によるZnIn_2S_4/In(OH)_3ヘテロ接合の配向成長【Powered by NICT】

Oriented growth of ZnIn2S4/In(OH)3 heterojunction by a facile hydrothermal transformation for efficient photocatalytic H2 production
著者 (5件):
資料名:
巻: 206  ページ: 726-733  発行年: 2017年 
JST資料番号: W0375A  ISSN: 0926-3373  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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二適切な半導体を用いた複合光触媒の構築が光励起キャリア対の輸送と分離を改善するために効果的な戦略である。ここでは,例としての層状ZnIn_2S_4ナノシートにおける異方性ヘテロ接合(HおよびJ型)の新しい概念を報告したのは初めてである。異方性伝導率のため,第二回半導体(J型ヘテロ接合)にZnIn_2S_4層に沿った電子移動の抵抗,層を横切る(H型ヘテロ接合)よりもはるかに少なかった。その結果,J型ヘテロ接合は,H型よりも高い光触媒活性を達成することができる。さらに,J型構造をもつZnIn_2S_4/In(OH)3ヘテロ接合を単純な方法により作製することに成功した,すなわち,In(OH)3は化学量論では~3+と過剰Zn~2+の溶液にNa_2Sを添加することにより得られた母液を持つ前駆体沈殿物の水熱変換によるZnIn_2S_4ナノシートの縁で選択的に集合した。その場光析出したPtとの密接な接触J型ヘテロ接合は可視光照射下で効率的な光触媒H_2進化を示し,0.25wt%の低い最適Pt負荷量を有する420nmで38.3%の高い見かけ量子収量をもたらした。層状半導体を用いた効率的なヘテロ接合光触媒の開発のための新しい洞察を提供した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (2件):
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光化学反応  ,  その他の触媒 
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