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J-GLOBAL ID:201702277434400889   整理番号:17A1102558

CIGS太陽電池用の化学溶液を基にした処理によって調製したCuIn1-xGaxSe2薄膜の調査

Investigation of CuIn1-xGaxSe2 thin films prepared by chemical solution-based processes for CIGS solar cells
著者 (6件):
資料名:
巻: 645  ページ: 441-450  発行年: 2017年 
JST資料番号: B0877A  ISSN: 1542-1406  CODEN: MCLCE9  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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地上の太陽光スペクトル範囲内で銅,インジウム,ガリウムとセレンからなる半導体材料(CIGS)の吸収係数は,薄膜光起電性デバイスを製造するために充分高いものであることは知られている。CIGS薄膜は,スパッタリングのような真空を利用した方法によって蒸着されるが,高い製造コストがかかる。著者らは,CIGSからなる薄膜太陽電池の製造を目的として溶液の多層スプレー処理を使用した。得られた試料を,X線回折,走査型電子顕微鏡,X線光電子とUV可視分光法を使用して特性評価した。また,エネルギー分散X線分析装置の測定結果から,試料はセレンに富むCIGS薄膜であることを確認した。
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分類 (2件):
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金属薄膜  ,  太陽電池 

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