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J-GLOBAL ID：201702277437597958   整理番号：17A1152168

GaAsナノワイヤ系光検出器における変換効率の計量キャリブレーションに向けて

Toward a metrological calibration of the conversion efficiency in GaAs nanowire-based photodetectors

著者 (5件)： CAMMI Davide (TU Braunschweig Univ. Technol., Braunschweig, DEU) ,  RODIEK Beatrice (Physikalisch-Technische Bundesanstalt (PTB), Braunschweig, DEU) ,  ZIMMERMANN Kseniia (TU Braunschweig Univ. Technol., Braunschweig, DEU) ,  KUECK Stefan (Physikalisch-Technische Bundesanstalt (PTB), Braunschweig, DEU) ,  VOSS Tobias (TU Braunschweig Univ. Technol., Braunschweig, DEU)
資料名： Journal of Materials Research  (Journal of Materials Research)
巻： 32  号： 13  ページ： 2464-2470  発行年： 2017年07月14日 
JST資料番号： D0987B  ISSN： 0884-2914  CODEN： JMREEE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 半導体ナノワイヤはナノワイヤレーザの光導波路や共振空洞にも適用されているが,ナノワイヤの合成,集積,表面特性を良好に制御し,ナノワイヤデバイスの標準特性を評価できる実験方法の開発が必要である。本研究では,単一接触GaAs半導体ナノワイヤに基づく光検出器の光応答を定量化するための実験方法について述べた。遠視野光学セットアップを用い,λ=656nmのレーザ励起において,デバイスの光電流の空間分解測定を行った。Ga支援分子ビームエピタキシャル成長により,固有コアとn型シェルから成るGaAsナノワイヤを作製した。ナノワイヤの主軸に沿った各位置における光電流の2次元マッピングに適合して,光応答を定量化した。デバイスの光応答は,ナノワイヤの位置に強く依存した。これは,デバイス接触の不均一性に帰せられた。

シソーラス用語： ナノワイヤ ,  *ヒ化ガリウム ,  光学的性質 ,  *光検出 ,  光検出器 ,  *キャリブレーション ,  計測 ,  応答 ,  レーザ励起 ,  スペクトロスコピー ,  光電流 ,  空間分解分光法 ,  MBE成長 ,  角度依存性 ,  不均一性 ,  正規分布 ,  FWHM
準シソーラス用語： 半導体ナノワイヤ ,  GaAs ,  光電変換効率 ,  測定方法 ,  光応答 ,  *光電流分光法 ,  分子ビームエピタキシャル成長 ,  位置依存性 ,  Gauss分布

分類 (2件)： 発光素子  (NC03082G) ,  無機化合物のルミネセンス  (BM08093J)

タイトルに関連する用語 (6件)： GaAs ,  ナノワイヤ ,  光検出器 ,  変換効率 ,  計量 ,  キャリブレーション