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J-GLOBAL ID：201702277447157879   整理番号：17A0953409

気相エピタキシーによる化合物半導体成長に対する気相反応の改良された熱力学解析

Improved thermodynamic analysis of gas reactions for compound semiconductor growth by vapor-phase epitaxy

著者 (5件)： INATOMI Yuya (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  KANGAWA Yoshihiro (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  KANGAWA Yoshihiro (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  KAKIMOTO Koichi (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  KOUKITU Akinori (Tokyo Univ. Agriculture and Technol., Tokyo, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 56  号： 3  ページ： 038002.1-038002.3  発行年： 2017年03月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 気相エピタキシーに対する改良された熱力学解析法を提案している。簡便法では,質量バランス律速方程式は分圧の変化に関して表わされている。簡便法は成長表面近くで起こる気体-固体反応に対しては適当であるが,気体分子の数の変化を含む気体反応に対しては適当ではない。著者らは半導体成長過程における気体反応の効果を予測するために律速方程式を再検討する。改良されたモデルの可能性を実証するために,有機金属気相エピタキシーによるIII族窒化物の成長過程を研究した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  *MOCVD ,  気相反応 ,  *解析 ,  *薄膜成長 ,  *モデリング ,  物質収支 ,  *窒化物
準シソーラス用語： *熱力学解析 ,  *VS成長 ,  質量バランス ,  *III-V族半導体

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

引用文献 (16件)：

• S. C. Jain, M. Willander, J. Narayan, and R. Van Overstraeten, J. Appl. Phys. 87, 965 (2000).
• E. F. Schubert and J. K. Kim, Science 308, 1274 (2005).
• I. Akasaki and H. Amano, Jpn. J. Appl. Phys. 36, 5393 (1997).
• Y. Taniyasu, M. Kasu, and T. Makimoto, Nature 441, 325 (2006).
• H. Amano, Prog. Cryst. Growth Charact. Mater. 62, 126 (2016).

タイトルに関連する用語 (5件)： 気相エピタキシー ,  化合物半導体 ,  成長 ,  気相反応 ,  熱力学解析