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J-GLOBAL ID：201702277481061078   整理番号：17A1271137

三重ゲートFinFETにおけるトラップの同定と低周波雑音分光法を用いたゲートオールアラウンドナノワイヤMOSFET【Powered by NICT】

On trap identification in triple-gate FinFETs and Gate-All-Around nanowire MOSFETs using low frequency noise spectroscopy

著者 (5件)： Boudier D. (Normandie Univ, UNICAEN, ENSICAEN, CNRS, GREYC, 14000 Caen, France) ,  Cretu B. (Normandie Univ, UNICAEN, ENSICAEN, CNRS, GREYC, 14000 Caen, France) ,  Simoen E. (imec, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, Belgium) ,  Veloso A. (imec, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, Belgium) ,  Collaert N. (imec, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, Belgium)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： ICNF  ページ： 1-4  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,同一技術プロセスで構築された三重ゲートフィンFETsとゲートオールアラウンド(GAA)ナノワイヤ(NW)MOSFETで同定されたトラップの比較をもたらす。トラップを,低周波雑音(LFN)分光法を用いて同定,プロセスステップはより良好なデバイスを構築するために改善される可能性がある情報を与えた。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *MOSFET ,  *ナノワイヤ ,  *低周波雑音
準シソーラス用語： *ゲートオールアラウンド ,  *FinFET ,  *三重ゲート , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (8件)： 三重 ,  ゲート ,  FinFET ,  トラップ ,  同定 ,  低周波雑音 ,  分光法 ,  MOSFET