文献

J-GLOBAL ID：201702277532504573   整理番号：17A1488518

無標識バイオセンサの応用のための誘電体変調された電気的にドープしたトンネルFET【Powered by NICT】

A dielectrically modulated electrically doped tunnel FET for application of label free biosensor

著者 (5件)： Venkatesh Pulimamidi (Nanoelectronics and VLSI Laboratory, PDPM-Indian Institute of Information Technology, Design and Manufacturing, Jabalpur, 482005, India) ,  Nigam Kaushal (Nanoelectronics and VLSI Laboratory, PDPM-Indian Institute of Information Technology, Design and Manufacturing, Jabalpur, 482005, India) ,  Pandey Sunil (Nanoelectronics and VLSI Laboratory, PDPM-Indian Institute of Information Technology, Design and Manufacturing, Jabalpur, 482005, India) ,  Sharma Dheeraj (Nanoelectronics and VLSI Laboratory, PDPM-Indian Institute of Information Technology, Design and Manufacturing, Jabalpur, 482005, India) ,  Kondekar P.N. (Nanoelectronics and VLSI Laboratory, PDPM-Indian Institute of Information Technology, Design and Manufacturing, Jabalpur, 482005, India)
資料名： Superlattices and Microstructures  (Superlattices and Microstructures)
巻： 109  ページ： 470-479  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0600B  ISSN： 0749-6036  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ナノスケールデバイスの製造課題とコストは無標識バイオセンサの分野における主要な関心事であった。それゆえ,これらの問題を克服するために,著者らは初めて無標識検出のためのバイオセンサとしての誘電的に調整された電気的にドープしたトンネル電界効果トランジスタ(DM EDTFET)を報告した。この目的のために,提案したデバイスにおけるn~+ドレインとp~+源領域は,超薄シリコン物体上のPG-1=1.2VとPG= 1.2の極性バイアスを考慮して誘導される。提案した構造は,ドーピング管理問題に対する影響されない,TFETはその対応物と比較して,熱収支と製造の複雑さを回避した。DM EDTFETでは,ゲート誘電体中に埋め込まれたナノギャップ共振器は,生体分子を検出するためのゲート誘電体層の選択された部分をエッチング源側に向かってによって形成されている。DM EDTFETの検知能力を生体分子の誘電率と電荷密度の変化,と異なるバイアス条件でのデバイス形状寸法パラメータの観点から解析した。相対感度を解析するために,提案したDM EDTFETはセンシングパラメータの観点からMOSFETに基づくバイオセンサと比較した。これらの結果から,MOSFETに基づくバイオセンサと比較して,DM EDTFETは感度の点で優れた結果を提供する。,提案したDM EDTFETバイオセンサは将来センシングバイオ装置の開発のための有望な候補である。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *誘電体 ,  ケイ素 ,  *ドーピング ,  極性 ,  *バイオセンサ ,  MOSFET ,  ゲート絶縁膜 ,  エッチング ,  バイアス ,  共振器 ,  誘電率
準シソーラス用語： 電荷密度 ,  生体分子 ,  ナノギャップ ,  *無標識 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： バイオセンサー ,  誘電体変調電気的にドープしたトンネル電界効果トランジスタ(DM EDTFET) ,  短チャンネル効果(SCE) ,  Sensitivity ,  TCAD

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： 無標識 ,  バイオセンサ ,  応用 ,  誘電体 ,  変調 ,  ドープ ,  トンネルFET