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J-GLOBAL ID：201702277534422989   整理番号：17A0763500

バルク絶縁体界面でのジアセチレン重合

Diacetylene polymerization on a bulk insulator surface

著者 (7件)： Richter A. (Institute of Physical Chemistry, Johannes Gutenberg University Mainz, 55099 Mainz, Germany. [e-mail]) ,  Haapasilta V. ,  Venturini C. ,  Bechstein R. ,  Gourdon A. ,  Foster A. S. ,  Kuehnle A.
資料名： Physical Chemistry Chemical Physics  (Physical Chemistry Chemical Physics)
巻： 19  号： 23  ページ： 15172-15176  発行年： 2017年 
JST資料番号： A0271C  ISSN： 1463-9076  CODEN： PPCPFQ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 分子エレクトロニクスは,従来のシリコンベース技術における既知の限界を超える大きな可能性を秘めている。分子エレクトロニクスデバイスの開発は,ワイヤー状構造を介して機能性分子を接続するための信頼できる戦略を必要とする。この目的のために,ジアセチレン重合が単一分子を導電性高分子鎖と接触させるための非常に有望なアプローチとして議論されてきた。将来のデバイス製造の主な課題は,機能性分子の電子構造を支持体界面から切り離すために必須であるバルク絶縁体界面にこの方法を適用することである。本稿では,筆者等は,約6eVのバンドギャップを有するバルク絶縁体である方解石(10.4)界面での3,3′-(1,3-ブタジイン-1,4-ジイル)ビス安息香酸前駆体のジアセチレン重合の実験的証拠を提供する。室温に保持された界面上に堆積させると,(1×3)上部構造を有する規則的な島が動的原子間力顕微鏡を用いて観察される。基板を485Kに加熱すると明確な変化が現れる。加熱した後,予想されるジアセチレンの高分子鎖の外観および繰り返し距離と良い一致を示す特徴的な内部構造を有する分子ストライプが形成される。対応する密度汎関数理論計算により,(1×3)上部構造と形成されたストライプ構造の両方の分子レベルの結合パターンを明らかにし,界面上でのジアセチレン重合の帰属を確認した。バルク絶縁体界面への導電性接続を形成するためのジアセチレン重合を用いる概念の転換は,将来の電子デバイスのアプリケーション関連システムへの道を切り開く。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST

シソーラス用語： *絶縁体 ,  *界面重合 ,  導電性高分子 ,  バンドギャップ ,  方解石 ,  原子間力顕微鏡 ,  密度汎関数法 ,  マイクロエレクトロニクス ,  電子構造 ,  化学結合 ,  高分子鎖 ,  脂肪族炭化水素 ,  不飽和炭化水素 ,  ジイン
準シソーラス用語： 結合形成 ,  分子エレクトロニクス ,  密度汎関数理論

分類 (2件)： 単独重合  (CG04020S) ,  巨大分子,高分子  (BH09020D)

物質索引 (2件)： ジアセチレン ,  3,3′-(1,3-ブタジイン-1,4-ジイル)ビス安息香酸

タイトルに関連する用語 (5件)： バルク ,  絶縁体 ,  界面 ,  ジアセチレン ,  重合