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J-GLOBAL ID：201702277560808013   整理番号：17A1359499

三方晶c面サファイア上の立方晶SiGeの菱面体晶超ヘテロエピタクシー【Powered by NICT】

Rhombohedral super hetero epitaxy of cubic SiGe on trigonal c-plane sapphire

著者 (2件)： Choi Sang H. (NASA Langley Research Center, Hampton, VA 23681-2199) ,  Duzik Adam J. (NASA Langley Research Center, Hampton, VA 23681-2199)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： SUM  ページ： 101-102  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 新しい菱面体晶超ヘテロエピタクシー技術はNASAで開発された。エピタキシー技術をサファイア(Al_2O_3)基板上に格子整合を有する前例のない立方晶-三方晶ハイブリッド単結晶構造の成長を可能にし,従って歪少なく界面で非常に欠陥の少ない。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 格子整合 ,  *ヘテロエピタクシー ,  単結晶 ,  *三方晶系 ,  米国航空宇宙局 ,  界面 ,  *サファイア ,  *エピタクシー
準シソーラス用語： *シリコンゲルマニウム , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： 三方晶 ,  サファイア ,  立方晶 ,  SiGe ,  菱面体晶 ,  ヘテロエピタクシー