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J-GLOBAL ID：201702277575078847   整理番号：17A1359458

中赤外のための集積フォトニクスに向けたGeSnベース光源と光伝導体【Powered by NICT】

GeSn-based light sources and photoconductors towards integrated photonics for the mid-infrared

著者 (17件)： Margetis Joe (ASM, 3440 East University Drive, Phoenix, AZ 85034, USA) ,  Tolle John (ASM, 3440 East University Drive, Phoenix, AZ 85034, USA) ,  Du Wei (Department of Chemistry and Physics, University of Arkansas at Pine Bluff, Pine Bluff, AR 71601, USA) ,  Ghetmiri Seyed (Department of Chemistry and Physics, University of Arkansas at Pine Bluff, Pine Bluff, AR 71601, USA) ,  Mortazavi Mansour (Department of Chemistry and Physics, University of Arkansas at Pine Bluff, Pine Bluff, AR 71601, USA) ,  Al-Kabi Sattar (Department of Electrical Engineering, University of Arkansas, Fayetteville, AR 72701, USA) ,  Zhou Yiyin (Department of Electrical Engineering, University of Arkansas, Fayetteville, AR 72701, USA) ,  Tran Huong (Department of Electrical Engineering, University of Arkansas, Fayetteville, AR 72701, USA) ,  Pham Thach (Department of Electrical Engineering, University of Arkansas, Fayetteville, AR 72701, USA) ,  Dou Wei (Department of Electrical Engineering, University of Arkansas, Fayetteville, AR 72701, USA) ,  Grant Perry (Department of Electrical Engineering, University of Arkansas, Fayetteville, AR 72701, USA) ,  Yu Shui-Qing (Department of Electrical Engineering, University of Arkansas, Fayetteville, AR 72701, USA) ,  Sun Greg (Department of Engineering, University of Massachusetts at Boston, Boston, MA 02125, USA) ,  Soref Richard (Department of Engineering, University of Massachusetts at Boston, Boston, MA 02125, USA) ,  Zhou Yiyin (Arktonics LLC, 1339 S. Pinnacle Dr., Fayetteville, AR 72701, USA) ,  Grant Perry (Arktonics LLC, 1339 S. Pinnacle Dr., Fayetteville, AR 72701, USA) ,  Li Baohua (Arktonics LLC, 1339 S. Pinnacle Dr., Fayetteville, AR 72701, USA)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： SUM  ページ： 13-14  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GeSnベース光ポンプレーザと光伝導体を系統的に調べた。これらのデバイスの動作波長は2~3μmをカバーしている。GeSn技術は現在のCMOSプロセスと完全に互換性があるので,GeSnベースデバイスはSi集積フォトニクスの分野で広く利用されている。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： ケイ素 ,  波長 ,  *光源 ,  互換性
準シソーラス用語： CMOSプロセス ,  *フォトニクス , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  光集積回路,集積光学  (BD06050D)

タイトルに関連する用語 (3件)： 集積 ,  フォトニクス ,  光伝導体