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J-GLOBAL ID：201702277589101419   整理番号：17A1063182

532nmNd:によるエポキシ化合物ウエハのによるブラインド掘削に関する調査:YVO_4レーザ【Powered by NICT】

Investigation on drilling blind via of epoxy compound wafer by 532nm Nd:YVO₄ laser

著者 (4件)： Le Vu Nguyen-Anh (Department of Engineering Mechanics, Nha Trang University. 02 Nguyen Dinh Chieu St., Nha Trang City, Vietnam) ,  Chen Yung-Jen (Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Kaohsiung, 26, Chin 3rd Rd., N.E.P.Z., Nantze, Kaohsiung 81170, Taiwan, ROC) ,  Chang Hsi-Cherng (Air Force Institute of Technology, 198 Jieshou W. Rd., Gangshan District, Kaohsiung 82047, Taiwan, ROC) ,  Lin Jau-Wen (Department of Mechanical Engineering, National Kaohsiung University of Applied Sciences, 415 Jiangong Rd., Sanmin District, Kaohsiung 80778, Taiwan, ROC)
資料名： Journal of Manufacturing Processes  (Journal of Manufacturing Processes)
巻： 27  ページ： 214-220  発行年： 2017年 
JST資料番号： W3312A  ISSN： 1526-6125  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高分子構造で設計された高分子材料は,異なるレーザ波長に対して異なるレベル吸光度を示した。,迅速な処理時間を特徴とするのでCO_2レーザはプリント回路基板(PCB)と半導体包装に使用される基板の穴あけブラインドビア中にしばしば適用されるが,その高い熱エネルギーは容易に重篤な基板の反りを引き起こし,掘削後の変形を完成した。,Nd:YVO_4レーザを本研究で用いたツールとして低熱エネルギーを生成するために選択した。三設計レベルに設定レーザヘッド移動速度,レーザビーム径,レーザショット数,レーザ電流とレーザ周波数制御を含む因子を実験パラメータの12セットを比較,考慮に入れなければならない合計36データセットで構成されている。JMPソフトウェアの支援により,エポキシ化合物ウエハ上バイアホールブラインドドリルに適用できるパラメータの最適セットを得ることを目的にした断面解析。最後に,高分子構造化高分子材料に及ぼすによる穴あけブラインドパラメータの最適セットを適用することの実現可能性を調べるために観察した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 周波数制御 ,  半導体 ,  *レーザ ,  吸光度 ,  ソフトウェア ,  穴あけ ,  レーザビーム ,  加工時間 ,  電流 ,  プリント基板
準シソーラス用語： 移動速度 ,  レーザーヘッド ,  熱エネルギー ,  高分子材料 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： レーザ穴あけ ,  ブラインドを介して起こる ,  Nd:YVO_4レーザ ,  ウエハレベルパッケージ

分類 (1件)： プリント回路  (NA05040O)

タイトルに関連する用語 (6件)： エポキシ化合物 ,  ウエハ ,  ブラインド ,  掘削 ,  調査 ,  レーザ