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J-GLOBAL ID：201702277607121764   整理番号：17A1385970

イットリウムおよびルテチウムオルトアルミン酸塩結晶と単結晶層におけるCe~3+の電子構造【Powered by NICT】

Electronic structure of Ce³⁺ in yttrium and lutetium orthoaluminate crystals and single crystal layers

著者 (21件)： Wang Yongjie (Institute of Physics, Polish Academy of Sciences, Al. Lotnikow 32/46, 02-668, Warsaw, Poland) ,  Wang Yongjie (College of Mathematics and Physics, Chongqing University of Posts and Telecommunications, Chongqing, 400065, PR China) ,  Wlodarczyk D. (Institute of Physics, Polish Academy of Sciences, Al. Lotnikow 32/46, 02-668, Warsaw, Poland) ,  Li Li (Institute of Physics, Polish Academy of Sciences, Al. Lotnikow 32/46, 02-668, Warsaw, Poland) ,  Li Li (College of Mathematics and Physics, Chongqing University of Posts and Telecommunications, Chongqing, 400065, PR China) ,  Wittlin A. (Institute of Physics, Polish Academy of Sciences, Al. Lotnikow 32/46, 02-668, Warsaw, Poland) ,  Wittlin A. (Cardinal Stefan Wyszynski University in Warsaw, ul. Dewajtis 5, 01-815, Warsaw, Poland) ,  Przybylinska H. (Institute of Physics, Polish Academy of Sciences, Al. Lotnikow 32/46, 02-668, Warsaw, Poland) ,  Sybilski P. (Institute of Physics, Polish Academy of Sciences, Al. Lotnikow 32/46, 02-668, Warsaw, Poland) ,  Zhydachevskii Ya (Institute of Physics, Polish Academy of Sciences, Al. Lotnikow 32/46, 02-668, Warsaw, Poland) ,  Ma Chong-Geng (College of Mathematics and Physics, Chongqing University of Posts and Telecommunications, Chongqing, 400065, PR China) ,  Ma Chong-Geng (Department of Biotechnology, University of Verona, Strada Le Grazie 15, I-37134 Verona, Italy) ,  Brik M.G. (College of Mathematics and Physics, Chongqing University of Posts and Telecommunications, Chongqing, 400065, PR China) ,  Brik M.G. (Institute of Physics, University of Tartu, W. Ostwald Str 1, Tartu, 50411, Estonia) ,  Brik M.G. (Institute of Physics, Jan Dlugosz University, Armii Krajowej 13/15, PL-42200, Czestochowa, Poland) ,  Malinowski M. (Institute of Microelectronics and Optoelectronics, Warsaw University of Technology, Koszykowa 75, 00-662, Warsaw, Poland) ,  Zorenko Yu (Institute of Physics, Kazimierz Wielki University, Weyssenhoffa 11, 85-072, Bydgoszcz, Poland) ,  Gorbenko V. (Institute of Physics, Kazimierz Wielki University, Weyssenhoffa 11, 85-072, Bydgoszcz, Poland) ,  Suchocki A. (Institute of Physics, Polish Academy of Sciences, Al. Lotnikow 32/46, 02-668, Warsaw, Poland) ,  Suchocki A. (College of Mathematics and Physics, Chongqing University of Posts and Telecommunications, Chongqing, 400065, PR China) ,  Suchocki A. (Institute of Physics, Kazimierz Wielki University, Weyssenhoffa 11, 85-072, Bydgoszcz, Poland)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 723  ページ： 157-163  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Ce~3+をドープしたイットリウムオルソアルミン酸塩とルテチウムオルソアルミン酸塩バルク結晶と液相エピタクシーで成長させた単結晶膜の低温赤外吸収スペクトルを提示した。配置内4f, 4f遷移の領域ではスペクトルは少なくとも三つの異なるCe~3+関連中心の存在を示した。支配的な中心はCeイットリウムまたはルテチウムを置換することと関連している。二つの付加的中心であるいわゆるアンチサイト位置アルミン酸塩における希土類イオンの,すなわち,Alサイトに及ぼすイオンにおそらく関係していた。アンチサイト欠陥の濃度がバルク結晶に比べてイットリウムオルソアルミン酸塩のエピタキシャル成長層で低く,高いドーピング濃度にもかかわらず。とは対照的に,オルソアルミン酸塩ルテチウムにおける付加的なCe~3+中心は非常に高濃度でのエピタキシャル層にも存在した。交換電荷モデルに基づく結晶場解析が支配的なCe~3+中心の実験データと計算した遷移エネルギーの優れた一致を示した。両タイプの結晶における4f-4f遷移の線幅は転移の最終レベルに依存して異なっていた。これは電子-フォノン結合の結果,試験した材料のフォノンエネルギーを持つ~2F_7/2状態の整合層間間隔により増強されたとして説明した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *単結晶 ,  *アルミン酸塩 ,  液相成長 ,  エピタクシー ,  *電子構造 ,  *イットリウム ,  電子-フォノン相互作用 ,  *セリウム ,  ドーピング ,  結晶場 ,  イオン ,  *結晶 ,  *ルテチウム ,  遷移エネルギー ,  赤外吸収スペクトル

著者キーワード (5件)： イットリウムオルソアルミン酸塩 ,  ルテチウムオルトアルミン酸 ,  Ce3+を~ ,  赤外スペクトル ,  多重格子点

分類 (1件)： 無機化合物のルミネセンス  (BM08093J)

タイトルに関連する用語 (6件)： イットリウム ,  酸 ,  塩 ,  結晶 ,  単結晶 ,  電子構造