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J-GLOBAL ID：201702277688221165   整理番号：17A1550677

四元Cd(Zn, S)Se薄膜の直接合成:組成の影響【Powered by NICT】

Direct synthesis of quaternary Cd(Zn, S)Se thin films: Effects of composition

著者 (9件)： Chavan G.T. (Thin Film and Solar Studies Research Laboratory, School of Physical Sciences, Solapur University, Solapur 413255, M.S., India) ,  Pawar S.T. (Thin Film and Solar Studies Research Laboratory, School of Physical Sciences, Solapur University, Solapur 413255, M.S., India) ,  Prakshale V.M. (Thin Film and Solar Studies Research Laboratory, School of Physical Sciences, Solapur University, Solapur 413255, M.S., India) ,  Pawar S.M. (Division of Physics and Semiconductor Science, Dongguk University, Seoul 100-715, Republic of Korea) ,  Ezugwu S. (Department of Physics and Astronomy, University of Western Ontario, London, ON, Canada N6A 3K7) ,  Chaure N.B. (Department of Physics, Savitribai Phule Pune University, Pune 411007, M.S., India) ,  Kamble S.S. (Government Polytechnic Vikramgad, Palghar 401605, M.S., India) ,  Maldar N.N. (Polymer Chemistry Department, Solapur University, Solapur 413255, M.S., India) ,  Deshmukh L.P. (Thin Film and Solar Studies Research Laboratory, School of Physical Sciences, Solapur University, Solapur 413255, M.S., India)
資料名： Materials Science in Semiconductor Processing  (Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 71  ページ： 447-453  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1055A  ISSN： 1369-8001  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,二元CdSeおよび四元Cd_1Zn_Se_1S(0≦x=y≦0.35)薄膜を化学浴析出法を用いて合成した。薄膜堆積を最適化条件(pH=10±0.1,堆積温度=70±0.1°C,堆積時間=100分と基板回転速度=65±2rpm)で行った。X線回折研究を,四元Cd(Zn, S)Se相の形成を伴う六方晶ウルツ鉱結晶構造と共に二元CdSe,CdS,ZnSおよびZnSe,成長したままのCd_1Zn_Se_1S薄膜の相を確認した。元素分析は,堆積した膜をCd~2+,Zn~2+,S~2-およびSe~2インチの存在を示した。Fourier変換赤外分光法は,Cd-Se結合の伸縮振動に帰属される911.15cm~-1 901 0.62cm~ 1のバンドを示した。走査電子顕微鏡は,菱形フレークのようなネットワークへの球状微結晶からの微細構造の変換を示した。電気伝導率は典型的に≒10~ 7Ω~-~1cm~ 1であった。低温では,伝導は可変領域ホッピングであり,これはT>350Kで熱的に活性化した粒界支配される伝導に変化した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： セレン化カドミウム ,  微細構造 ,  硫化カドミウム ,  電気伝導率 ,  六方晶系 ,  *薄膜 ,  硫化亜鉛 ,  走査電子顕微鏡 ,  結晶構造 ,  X線回折 ,  微結晶 ,  セレン化亜鉛 ,  フレーク
準シソーラス用語： 可変領域ホッピング ,  化学浴析出 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 第四紀薄膜 ,  EDS ,  XRD ,  SEM ,  Conductivity

分類 (2件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： Cd ,  Zn ,  Se ,  薄膜 ,  直接合成 ,  組成