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J-GLOBAL ID：201702277690046645   整理番号：17A1667426

高エネルギー電子照射下における誘電体-導体相間構造の深部充電特性の研究【JST・京大機械翻訳】

Charging characteristics of dielectric-conductor alternately layered structure under energetic electron irradiation

著者 (5件)： Zheng Hansheng (中国科学院国家空間科学中心,北京 100190;中国科学院大学,北京 100049) ,  Yang Tao (中国科学院国家空間科学中心,北京,100190) ,  Han Jianwei (中国科学院国家空間科学中心,北京 100190;中国科学院大学,北京 100049) ,  Zhang Zhenlong (中国科学院国家空間科学中心,北京 100190;中国科学院大学,北京 100049) ,  Liu Jikui (北京控制工程研究所,北京,100190)
資料名： Hangtian Qi Huanjing Gongcheng  (Hangtian Qi Huanjing Gongcheng)
巻： 34  号： 2  ページ： 183-189  発行年： 2017年 
JST資料番号： C2916A  ISSN： 1673-1379  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 中間体-導体相間の構造の深い充電特性に影響を及ぼす内部因子を研究するために,異なる構造の試験サンプルを設計し,90Sr放射源を用いて空間高エネルギー電子環境を模擬し,サンプルの深部充電照射試験を行い,充電電位の差異を測定した。深い充電三次元シミュレーションソフトウェアを用いて,異なる幾何学的構造における誘電体-導体相間の構造の深い充電電位と電場分布を計算した。実験とシミュレーションの結果により、誘電体の最高表面電位及び媒質内部の最大電場は媒質幅と高さと正の相関があることが分かった。その他の条件が変わらない場合、誘電体が広くなるほど、導体表面より高くなるほど、放電のリスクが高くなる。媒質と導体の側面に微小間隙が存在する場合、媒質内の最大電場が著しく増強され、内部破壊が発生しやすい。しかし,誘電体と導体の間の真空ギャップにおいて,電界は破壊閾値を超えやすく,放電のリスクは大きい。宇宙工学の応用において、この構造の深い層充放電のリスクを下げるため、絶縁性能とその他の要求を満たす前提で、媒質の幅をできるだけ小さくし、誘電体と導体間の高度差を低減し、誘電体と導体の側面の接触を確保する必要がある。Data from Wanfang. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電位 ,  *充電 ,  媒質 ,  放電 ,  *導体 ,  ソフトウェア ,  電場 ,  深部 ,  *誘電体 ,  中間体 ,  表面電位
準シソーラス用語： 充放電 ,  電界分布 ,  三次元シミュレーション ,  *高エネルギー電子 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： energetic electron ,  deep dielectric charging ,  experiment ,  three-dimensional simulation

分類 (3件)： 電磁気学一般  (BD01020N) ,  静電気学,静磁気学  (BD01010C) ,  送電  (NB05030G)

タイトルに関連する用語 (6件)： 高エネルギー電子 ,  誘電体 ,  導体 ,  深部 ,  充電 ,  研究