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J-GLOBAL ID:201702277860810504   整理番号:17A0497519

FLP特性の簡単な調節:ホスフィニルビニルGrignard試薬とGa/P-およびIn/P2系の嵩高いLewis対

Facile Modulation of FLP Properties: A Phosphinylvinyl Grignard Reagent and Ga/P- and In/P2-Based Frustrated Lewis Pairs
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資料名:
巻: 56  号: 11  ページ: 3094-3097  発行年: 2017年 
JST資料番号: H0127B  ISSN: 1433-7851  CODEN: ACIEAY  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: ドイツ (DEU)  言語: 英語 (EN)
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Al/P系嵩高いLewis対(FLP)は予期せぬトランスメタル化およびホスフィニルビニルGrignard試薬の形成によってPhMgClと反応した。本化合物は塩基性のFLP成分を他のLewis酸性金属原子に移動させるのに適しており,Ga/PおよびIn/P2FLPの生成を可能にした。GaのFLPは対応するAlのFLPとは異なる挙動を示し,InのFLPはAu-Clの結合活性化によってAu原子のキレート配位を可能にした。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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著者キーワード (5件):
分類 (2件):
分類
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付加反応,脱離反応  ,  第11族,第12族元素の錯体 
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