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J-GLOBAL ID：201702277867390858   整理番号：17A1138847

光照射下での金属/フラーレン界面における蓄積電荷測定

著者 (9件)： 大塚理人 (兵庫県大 院) ,  谷村利精 (兵庫県大 院) ,  荻野晃成 (兵庫県大 院) ,  角屋智史 (兵庫県大 院) ,  佐藤井一 (兵庫県大 院) ,  横松得滋 (兵庫県大 院) ,  前中一介 (兵庫県大 院) ,  山田順一 (兵庫県大 院) ,  田島裕之 (兵庫県大 院)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 78th  ページ： ROMBUNNO.5p-PA3-3  発行年： 2017年08月25日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *光照射 ,  *金属 ,  *フラーレン ,  *界面 ,  *電気測定 ,  *電荷 ,  *キャリア注入 ,  *半導体金属接合 ,  *Schottky障壁 ,  *トンネル効果 ,  真空蒸着 ,  有機半導体 ,  電極 ,  二酸化ケイ素 ,  電荷測定 ,  Schottky接合 ,  金属電極
準シソーラス用語： 蓄積電荷 ,  電荷注入 ,  ITO電極

分類 (2件)： 半導体-金属接触  (BM03084G) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (5件)： 光照射 ,  フラーレン ,  界面 ,  蓄積 ,  電荷測定