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J-GLOBAL ID：201702277931204418   整理番号：17A0388212

複合中空陰極対Grimm細胞:半導電性及び非導電性試料【Powered by NICT】

Combined hollow cathode vs. Grimm cell: semiconductive and nonconductive samples

著者 (6件)： Gubal A. (St. Petersburg State University, Universitetskaya Nab. 7/9, 199034 St. Petersburg, Russia. [e-mail]) ,  Ganeev A. ,  Hoffmann V. ,  Voronov M. ,  Brackmann V. ,  Oswald S.
資料名： Journal of Analytical Atomic Spectrometry  (Journal of Analytical Atomic Spectrometry)
巻： 32  号： 2  ページ： 354-366  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0770C  ISSN： 0267-9477  CODEN： JASPE2  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二種類の通常使用される放電セル(Grimm型および中空陰極)は,それらの分析能力を研究し,比較した。半導体(シリコン,炭化ケイ素,窒化ガリウム)および非導電性(石英およびアルミナ)試料を考慮した。これに関連して組合せホロー陰極を用いた円筒形状陰極及び円筒の底部に平坦な試料から構成されている。アルミニウム,銅,及びタンタル円筒陰極を適用した。放電セルの比較は,等電力と同様な圧力条件での試料成分のOES信号強度により,連続RFまたはパルスDC電力供給モードでのどちらかであった。連続RFモードで運転し,複合中空陰極源はGrimm細胞と同等,または高い強度を与えることが示された。連続RFモードを含むホロー陰極の適用は,厚い誘電体試料に対してのみかなりの利点がある,Grimm細胞とは対照的に,ホロー陰極のための分析信号は,試料厚さに依存しないことが分かった。パルスDCモードで運転し,ホロー陰極システムは,Grimm電池よりも高い強度を数桁までを生成し,特に誘電体試料。パルスモードは連続のものと比較してカソード強度への試料の良好な比を示した。複合中空陰極セルにおけるスパッタリング機構を調べ,試料表面上の薄い導電性層の形成と関係していることが分かった。後者の組成と厚さ,運転パラメータとスパッタリング時間に依存してを調べた。表面層はホロー陰極ディスク材料堆積,試料材料の再堆積とスパッタ少ない試料成分の濃縮の結果として生成することを示した。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： スパッタリング ,  タンタル ,  炭化ケイ素 ,  電力供給 ,  円筒 ,  *半導性 ,  電力 ,  窒化ガリウム ,  アルミニウム ,  *導電性 ,  石英 ,  銅 ,  円板 ,  アルミナ ,  *ホロー陰極

分類 (2件)： 分光分析  (CC03012W) ,  気体放電  (BJ03020T)

タイトルに関連する用語 (4件)： 中空陰極 ,  半導電性 ,  非導電性 ,  試料