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J-GLOBAL ID：201702278059281021   整理番号：17A1340144

GaAs FETに基づくSバンド電力増幅と整流双方向回路【JST・京大機械翻訳】

An S-band microwave amplifier and rectifier bi-directional circuit based on GaAs FET

著者 (2件)： Wang Hongbin (四川大学電子信息学院,四川成都,610064) ,  Liu Zhangjun (四川大学電子信息学院,四川成都,610064)
資料名： Tai Hezi Kexue Yudianzi Xinxi Xuebao  (Tai Hezi Kexue Yudianzi Xinxi Xuebao)
巻： 15  号： 2  ページ： 239-242  発行年： 2017年 
JST資料番号： C3004A  ISSN： 2095-4980  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： GaAs FETsに基づくSバンドマイクロ波電力増幅と整流双方向回路を設計し、マイクロ波電力増幅回路と整流回路との間の類似性を分析した。ADSを用いてシミュレーションを行い、実験検証を行った。この回路はマイクロ波電力増幅機能を有し、ゲインと電力付加効率はそれぞれ11.9 dBと55%で、出力パワーは28.9 dBmに達した。この回路は同時にマイクロ波を直流に変換する機能を持っている。回路バイアスがCの状態では,マイクロ波入力電力は30dBmであり,直流負荷は55である。その結果,75.6%の整流効率が得られた。逆方向整流器の特性は,双方向マイクロ波無線エネルギー伝送システムに応用できることが期待される。Data from Wanfang. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： バイアス ,  増幅器 ,  利得 ,  *整流 ,  直流 ,  *ヒ化ガリウム ,  電力付加効率 ,  *双方向回路 ,  整流器 ,  類似性 ,  *電力 ,  マイクロ波
準シソーラス用語： 整流回路 ,  マイクロ波電力 ,  *Sバンド , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： microwave power amplifier ,  rectifier ,  bi-directional

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  増幅回路  (NC05040U)

タイトルに関連する用語 (6件)： GaAs ,  FET ,  Sバンド ,  電力増幅 ,  整流 ,  双方向回路