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J-GLOBAL ID：201702278099987800   整理番号：17A0617187

Ti₂SnC上の自然発生的Snウィスカー形成

Spontaneous Sn whisker formation on Ti₂SnC

著者 (8件)： LIU Y. (Southeast Univ., Nanjing, CHN) ,  ZHANG P. (Southeast Univ., Nanjing, CHN) ,  LING C. (Southeast Univ., Nanjing, CHN) ,  DING J. (Southeast Univ., Nanjing, CHN) ,  TIAN W. B. (Southeast Univ., Nanjing, CHN) ,  ZHANG Y. M. (Southeast Univ., Nanjing, CHN) ,  SUN Z. M. (Southeast Univ., Nanjing, CHN) ,  SUN Z. M. (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
資料名： Journal of Materials Science. Materials in Electronics  (Journal of Materials Science. Materials in Electronics)
巻： 28  号： 8  ページ： 5788-5795  発行年： 2017年04月 
JST資料番号： W0003A  ISSN： 0957-4522  CODEN： JMTSAS  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Ti₂SnC上の自然発生的なSnウィスカー形成を観察した。Ti₂SnC-SnとTi₂SnCの試料を調製し,同じ条件で培養した。ボールミリングしたTi₂SnC-Sn試料には,40日でSnウィスカーが発生したが,ボールミリングしなかったTi₂SnC-Sn試料には,半年培養してもウィスカーは成長しなかった。また,ボールミリングしたにもかかわらず,Ti₂SnC試料にはウィスカーは成長しなかった。ボールミリングで導入されたへき開面が核生成サイトの役割を演じ,基板にある非反応Snがウィスカー形成のためのSn原子を供給するという,触媒反応に基づくウィスカー形成モデルを提案した。

シソーラス用語： *スズ ,  *ホイスカ ,  *チタン化合物 ,  *スズ化合物 ,  *炭化物 ,  試料調製 ,  摩砕 ,  *スズめっき ,  *はんだ付 ,  VLS成長 ,  触媒反応 ,  自由表面 ,  エネルギー分散X線分光分析 ,  *結晶構造 ,  基板 ,  *機構 ,  転位【結晶】 ,  再結晶 ,  圧縮応力 ,  *電気故障
準シソーラス用語： ボールミリング ,  *形成機構

分類 (2件)： 接続部品  (NA05050Z) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (3件)： 自然発生 ,  Sn ,  ウィスカー