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J-GLOBAL ID:201702278118882877   整理番号:17A0492273

燐光性イリジウム(III)錯体のオプトエレクトロニクス特性のチューニングで学んだ教訓

Lessons learned in tuning the optoelectronic properties of phosphorescent iridium(iii) complexes
著者 (2件):
資料名:
巻: 53  号:ページ: 807-826  発行年: 2017年 
JST資料番号: D0376B  ISSN: 1359-7345  CODEN: CHCOFS  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 文献レビュー  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
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ここでは,オプトエレクトロニクス用途,特にエレクトロルミネセントデバイスのエミッタのためのヘテロレプティックカチオンのイリジウム(III)錯体の設計におけるアプローチを示す。シクロメタル化(C^N)配位子または付随的(N^N)配位子のエレクトロニクスの変調の結果として,錯体の光物理学的特性の変化を議論する。次に,これらの特性に対する影響を,両方の型のリガンドの構造の修飾の関数としてブロットする。合理的に設計された構造物-特性の関係の研究と,その後のリガンド設計を行う理論的モデリングを組み合わせて,複合体の光電子的挙動の傾向を説明する。しかし,設計パラダイムが必ずしも真実ではない場合がある。それにもかかわらず,これらの研究の全ては,ヘテロレプティックカチオンの燐光イリジウム(III)錯体の設計において学んだ教訓に寄与する。Copyright 2018 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST
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分類 (2件):
分類
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錯体のルミネセンス  ,  白金族元素の錯体 

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