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J-GLOBAL ID：201702278140498714   整理番号：17A1836319

二重ゲートグラフェンFETにおける加工誘起歪【Powered by NICT】

Processing-induced strain in dual-gated graphene FETs

著者 (4件)： Darwish M. (Department of Electrical and Computer Engineering, Carnegie Mellon University, Pittsburgh, PA, 15213) ,  Saha Dipanjan (Department of Mechanical Engineering, Carnegie Mellon University, Pittsburgh, PA, 15213) ,  Malen J. (Department of Mechanical Engineering, Carnegie Mellon University, Pittsburgh, PA, 15213) ,  Weldon J. A. (Department of Electrical and Computer Engineering, Carnegie Mellon University, Pittsburgh, PA, 15213)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： NANO  ページ： 459-462  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二重ゲートグラフェン電界効果トランジスタ(FET)は,バックゲート酸化物だけでなく,接触からの応力を受ける。この応力は,グラフェンの電子構造を変化させる。グラフェンFETのチャネルの歪誘導における種々の処理工程の役割に関する研究を報告する。Raman解析を用いて二重ゲートグラフェンFETの製造中のプロセス誘起歪みを調べた。ALDシード層蒸発はグラフェンチャンネル内の顕著な引張歪を誘起することが分かったが,A LD過程自体は蒸着したシード層によって誘起される引張応力を軽減した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電子構造 ,  *グラフェン ,  FET【トランジスタ】 ,  蒸発 ,  酸化物 ,  引張応力 ,  チャネル
準シソーラス用語： 引張歪 ,  シード層 ,  バックゲート ,  *グラフェンFET ,  *二重ゲート , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： 二重ゲート ,  グラフェンFET ,  誘起 ,  歪