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J-GLOBAL ID：201702278211349375   整理番号：17A1187545

グラフェンベースフレキシブル電子デバイス【Powered by NICT】

Graphene-based flexible electronic devices

著者 (4件)： Han Tae-Hee (Department of Materials Science and Engineering, Seoul National University, 1 Gwanak-ro, Gwanak-gu, Seoul, 08826, Republic of Korea) ,  Kim Hobeom (Department of Materials Science and Engineering, Pohang University of Science and Technology (POSTECH), Pohang, Gyungbuk, 790-784, Republic of Korea) ,  Kwon Sung-Joo (Department of Materials Science and Engineering, Pohang University of Science and Technology (POSTECH), Pohang, Gyungbuk, 790-784, Republic of Korea) ,  Lee Tae-Woo (Department of Materials Science and Engineering, Seoul National University, 1 Gwanak-ro, Gwanak-gu, Seoul, 08826, Republic of Korea)
資料名： Materials Science & Engineering. R. Reports  (Materials Science & Engineering. R. Reports)
巻： 118  ページ： 1-43  発行年： 2017年 
JST資料番号： T0341A  ISSN： 0927-796X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： プラスチック基板上に製作したフレキシブル電子デバイスは,将来のディスプレイ,照明,または太陽電池のための剛体対応物よりも好ましい。実用になるフレキシブルエレクトロニクスでは,インジウム-すず-酸化物(ITO)電極は,その脆性,コスト増加,及び化学的不安定性のために交換する必要がある。グラフェンは高い光透過率を持つそのユニークな電子的,機械的性質のためにフレキシブル透明導電性電極用の有望な材料として出現した。,グラフェンは発光ダイオード(LED),太陽電池(SC),及び電界効果トランジスタ(FET)を含む柔軟な電子デバイスに広く用いられている。しかし,フレキシブルエレクトロニクスにおけるグラフェンの実際的応用では,その限界も克服しなければならない。本レビューでは,LED,SCとFETにおけるグラフェンの利用,高効率で安定なフレキシブルエレクトロニクスを得るためにグラフェンの欠陥を克服するための種々の戦略を述べた。最後に,今後の展望を示し,グラフェンベースフレキシブル電子デバイスに関する研究のための更なる方向を示唆した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 発光ダイオード ,  酸化物 ,  太陽電池 ,  FET【トランジスタ】 ,  剛体 ,  不安定性 ,  導電性 ,  *グラフェン ,  表示装置
準シソーラス用語： 有機太陽電池 ,  高効率 ,  光透過率 ,  フレキシブルエレクトロニクス ,  高分子基板 ,  *電子素子 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (7件)： グラフェン ,  フレキシブルエレクトロニクス ,  透明電極 ,  有機発光ダイオード ,  有機太陽電池 ,  有機トランジスタ ,  カプセル化

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (1件)： 電子デバイス