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J-GLOBAL ID：201702278217772003   整理番号：17A0642067

二次元CN最安定配座:ユニークな構造的トポロジーとナノエレクトロニック特性

Two-Dimensional C₄N Global Minima: Unique Structural Topologies and Nanoelectronic Properties

著者 (8件)： PU Chunying (Jilin Univ., Changchun, CHN) ,  PU Chunying (Nanyang Normal Univ., Nanyang, CHN) ,  ZHOU Dawei (Nanyang Normal Univ., Nanyang, CHN) ,  LI Yafei (Nanjing Normal Univ., Jiangsu, CHN) ,  LIU Hanyu (Carnegie Institution of Washington, Washington, DC, USA) ,  CHEN Zhongfang (Univ. Puerto Rico, San Juan, PRI) ,  WANG Yanchao (Jilin Univ., Changchun, CHN) ,  MA Yanming (Jilin Univ., Changchun, CHN)
資料名： Journal of Physical Chemistry C  (Journal of Physical Chemistry C)
巻： 121  号： 5  ページ： 2669-2674  発行年： 2017年02月09日 
JST資料番号： W1877A  ISSN： 1932-7447  CODEN： JPCCCK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： DFT計算と組み合わせた粒子群最適化アルゴリズムを用いたバイアスの無い構造探索法を使って二次元(2D)C₄N化合物に対する詳細な構造調査を行った。まったく類似した構造的トポロジーを示す,即ち五角形,六角形と八角形の環から構成された二つの新規な構造(P_mとP_2/m)はエネルギーが縮退(わずか4meV/原子の違い)していた。P_m構造は90meVの直接バンドギャップを有する半導体であったが,これとは対照的に,P_2/m構造はゼロバンドギャップを持った半金属であり,方向依存性のフェルミ速度および電子特性を示す歪められたDirac coneを有していた。

シソーラス用語： 炭素化合物 ,  窒化物 ,  電子技術 ,  *半導体材料 ,  最適化 ,  密度汎関数法 ,  *表面構造 ,  多角形 ,  六角形 ,  エネルギーギャップ ,  エネルギー ,  *バンド構造
準シソーラス用語： *窒化炭素 ,  ナノエレクトロニクス ,  粒子群最適化アルゴリズム ,  トポロジー表面状態 ,  五角形 ,  八角形 ,  生成エネルギー

分類 (2件)： 塩  (CD01050V) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (4件)： Cn ,  最安定配座 ,  トポロジー ,  エレクトロニック