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J-GLOBAL ID：201702278340019657   整理番号：17A1152072

相変化デバイスのためのGe₈Sb₂Te₁₁薄膜の相変化特性に及ぼすタングステンの影響

Effect of tungsten on the phase-change properties of Ge₈Sb₂Te₁₁ Thin Films for the Phase-change device

著者 (4件)： PARK Cheol-Jin (Chonnam National Univ., Gwangju, KOR) ,  KONG Heon (Chonnam National Univ., Gwangju, KOR) ,  LEE Hyun-Yong (Chonnam National Univ., Gwangju, KOR) ,  YEO Jong-Bin (Chonnam National Univ., Gwangju, KOR)
資料名： Journal of the Korean Physical Society  (Journal of the Korean Physical Society)
巻： 71  号： 1  ページ： 42-46  発行年： 2017年07月14日 
JST資料番号： T0357A  ISSN： 0374-4884  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 韓国 (KOR)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *不揮発性メモリ ,  *ゲルマニウム化合物 ,  *アンチモン化合物 ,  *テルル化物 ,  半導体薄膜 ,  タングステン含有合金 ,  X線回折 ,  吸収係数 ,  *材料
準シソーラス用語： *相変化メモリ ,  テルル化ゲルマニウム ,  テルル化アンチモン ,  XRD分析 ,  光吸収係数 ,  *相変化材料

分類 (3件)： 無機化合物の結晶構造一般  (BK07001T) ,  相転移・臨界現象一般  (BL04010V) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (3件)： 相変化 ,  薄膜 ,  タングステン