文献

J-GLOBAL ID：201702278366008272   整理番号：17A1523223

Zn3V2O8の電子構造と光学的性質の理論的研究【JST・京大機械翻訳】

Theoretical Investigation on Electronic Structure and Optical Properties of Zn3V2O8

著者 (8件)： Zhou Chuancang (麗水学院理学院,麗水,323000) ,  Zhang Feipeng (河南城建学院数理学院建筑光伏一体化河南省工程実験室,平頂山,467036) ,  Wu Hongyu (麗水学院理学院,麗水,323000) ,  Fang Hui (广西民族師范学院物理与電子工程系,崇左,532200) ,  Huang Cansheng (广西民族師范学院物理与電子工程系,崇左,532200) ,  Li Fansheng (广西民族師范学院物理与電子工程系,崇左,532200) ,  Yang Xinyu (合肥工業大学材料科学与工程学院新型功能材料与器件安徽省重点実験室,合肥,230009) ,  Zhang Jiuxing (合肥工業大学材料科学与工程学院新型功能材料与器件安徽省重点実験室,合肥,230009)
資料名： Guisuanyan Tongbao  (Guisuanyan Tongbao)
巻： 36  号： 2  ページ： 554-557  発行年： 2017年 
JST資料番号： C2439A  ISSN： 1001-1625  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： Zn3V2O8のバンド構造,電子状態密度,および光学的性質を,平面波超ソフト擬ポテンシャル法によって研究した。バンドギャップの結果は,Zn3V2O8が間接バンドギャップをもつ絶縁体のバンドギャップを示し,そのバンドギャップは2.9eVであることを示した。詳細な電子状態密度の結果により、そのFermi面上の状態密度は20e/eVに達し、フェルミ準位付近のエネルギー準位はZn3p、V3pとO2p電子から形成され、Zn3dとO2sの間に強い混成作用があることが分かった。誘電特性の結果は,4.4~5.7eVの範囲で強い吸収ピークがあり,20.6eVの近くで強い吸収ピークがあることを示した。吸収スペクトルは6.8eVで強い吸収を示し,20.7eVで弱い吸収ピークを示した。Data from Wanfang. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： バンド構造 ,  混成作用 ,  バンドギャップ ,  状態密度 ,  誘電性 ,  *電子構造 ,  Fermi準位 ,  平面波 ,  吸収スペクトル ,  絶縁体 ,  *光学的性質 ,  擬ポテンシャル法 ,  Fermi面
準シソーラス用語： 間接バンドギャップ ,  電子状態密度 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： Zn3V2O8 ,  density functional theory ,  electronic structure

分類 (3件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  光物性一般  (BM08010A) ,  絶縁体結晶の電子構造  (BM02070Y)

タイトルに関連する用語 (4件)： 電子構造 ,  光学的性質 ,  理論 ,  研究