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J-GLOBAL ID：201702278388975472   整理番号：17A0449303

異なるCVD温度で作製した炭素ナノワイヤおよびナノチューブの微細構造,成長機構及び性質【Powered by NICT】

The microstructures, growth mechanisms and properties of carbon nanowires and nanotubes fabricated at different CVD temperatures

著者 (5件)： Pan Hongxing (Science and Technology on Thermostructural Composite Materials Laboratory, Northwestern Polytechnical University, Xi’an 710072, PR China) ,  Yin Xiaowei (Science and Technology on Thermostructural Composite Materials Laboratory, Northwestern Polytechnical University, Xi’an 710072, PR China) ,  Xue Jimei (Science and Technology on Thermostructural Composite Materials Laboratory, Northwestern Polytechnical University, Xi’an 710072, PR China) ,  Cheng Laifei (Science and Technology on Thermostructural Composite Materials Laboratory, Northwestern Polytechnical University, Xi’an 710072, PR China) ,  Zhang Litong (Science and Technology on Thermostructural Composite Materials Laboratory, Northwestern Polytechnical University, Xi’an 710072, PR China)
資料名： Diamond and Related Materials  (Diamond and Related Materials)
巻： 72  ページ： 77-86  発行年： 2017年 
JST資料番号： W0498A  ISSN： 0925-9635  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 多結晶カーボンナノワイヤ(p CNWs)は多孔質Si_3N_4セラミックにおける分散炭素源とNi粒子としてC_2H_4を用いた700°Cでの成長種としてCVD戦略を介して合成した。受け取ったままのp CNWは固体コアを示し,黒鉛ナノシートの基底面はワイヤ軸に垂直にした。成長温度上昇は800°C以上で750°Cと非晶質炭素での中空炭素ナノチューブ(CNT)の形成,炭素強化Si_3N_4複合セラミックの電気伝導率と誘電特性を変化を促進した。ソリッドワイヤおよび中空管の成長機構と微細構造を詳細に検討し,比較した。は,高い表面エネルギーを示す,p CNWsのエネルギー的に有利である1000°Cでのアニーリング中に結晶化したCNTに変換する四状態遷移過程は炭素原子の拡散とナノシートの再配列と成長を伴っていた。本研究戦略と結果は,炭素ナノ材料の成長と黒鉛化挙動を調べるために有益であるが,おそらく他のナノワイア-ナノチューブ系を調べるために拡張した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *ナノチューブ ,  表面エネルギー ,  *炭素 ,  電気伝導率 ,  黒鉛化 ,  焼なまし ,  *金属線 ,  誘電性 ,  ニッケル ,  *ナノワイヤ ,  多結晶 ,  ナノシート
準シソーラス用語： 成長温度 ,  *成長メカニズム ,  *カーボンナノワイヤ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (7件)： CVD ,  作製 ,  炭素ナノワイヤ ,  ナノチューブ ,  微細構造 ,  成長 ,  性質