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J-GLOBAL ID：201702278423848998   整理番号：17A1058566

水素含有大気中の透明導電性FドープSnO_2(FTO)薄膜のスパッタ蒸着【Powered by NICT】

Sputtering deposition of transparent conductive F-doped SnO₂ (FTO) thin films in hydrogen-containing atmosphere

著者 (10件)： Zhu B.L. (The State Key Laboratory of Refractories and Metallurgy, Wuhan University of Science and Technology, Wuhan 430081, People’s Republic of China) ,  Zhu B.L. (State Key Laboratory of Materials Processing and Die & Mould Technology, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan 430074, People’s Republic of China) ,  Liu F. (The State Key Laboratory of Refractories and Metallurgy, Wuhan University of Science and Technology, Wuhan 430081, People’s Republic of China) ,  Li K. (The State Key Laboratory of Refractories and Metallurgy, Wuhan University of Science and Technology, Wuhan 430081, People’s Republic of China) ,  Lv K. (The State Key Laboratory of Refractories and Metallurgy, Wuhan University of Science and Technology, Wuhan 430081, People’s Republic of China) ,  Wu J. (The State Key Laboratory of Refractories and Metallurgy, Wuhan University of Science and Technology, Wuhan 430081, People’s Republic of China) ,  Gan Z.H. (The State Key Laboratory of Refractories and Metallurgy, Wuhan University of Science and Technology, Wuhan 430081, People’s Republic of China) ,  Liu J. (The State Key Laboratory of Refractories and Metallurgy, Wuhan University of Science and Technology, Wuhan 430081, People’s Republic of China) ,  Zeng D.W. (State Key Laboratory of Materials Processing and Die & Mould Technology, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan 430074, People’s Republic of China) ,  Xie C.S. (State Key Laboratory of Materials Processing and Die & Mould Technology, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan 430074, People’s Republic of China)
資料名： Ceramics International  (Ceramics International)
巻： 43  号： 13  ページ： 10288-10298  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0705A  ISSN： 0272-8842  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： FドープSnO_2(FTO)薄膜をAr+H_2雰囲気におけるSnO_2~-SnF_2ターゲットのスパッタリングにより調製した。膜の構造的,電気的および光学的性質に及ぼすH_2/Ar流比の影響は,150と300°Cの二基板温度と二塩基圧力3.5×10~ 3と1.5×10~ 2Paで調べた。結果は,スパッタリング雰囲気へH_2を導入し,(101)優先配向したFTO膜の形成をもたらし,低いH_2/Ar流比で酸素空格子点(V)が,膜中の高いH_2/Ar流比でSnO相を生成できることを示した。,膜の抵抗率は最初減少し,その後増加したが,透過率はH_2/Ar流比の増加と共に連続的に減少した。H_2/Ar流比がある値以上に増加する場合,より非晶質SnO相が膜中に生成し,伝導率,透過率およびバンドギャップの大きな減少(E)をもたらした。基板温度を上げると膜の結晶度の改善に起因するHall移動度を増加させることができるが,膜中のふっ素の外側への拡散によるキャリア濃度を減少させた。3.5×10~ 3Paの圧力では,高い基板温度(300°C)はSnOの生成を妨げることによって,膜の透明導電性特性を改善することができる。1.5×10~ 2Paの圧力では,SnO_2相を形成するための,高透明導電性FTO膜を得るためのH_2/Ar流比の範囲は150~300°Cの基板温度で広がったCopyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： フッ素 ,  電気抵抗率 ,  *薄膜 ,  スパッタリング ,  キャリア密度 ,  透過率 ,  *スパッタ蒸着 ,  結晶度 ,  優先配向 ,  *導電性 ,  光学的性質 ,  Hall移動度 ,  *ドーピング ,  基板温度
準シソーラス用語： 酸素空格子点 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： スパッタリング ,  FドープSnO_2(FTO)薄膜 ,  Hドーピング ,  H_2/Ar流比 ,  基板温度 ,  底面圧

分類 (2件)： セラミック・磁器の性質  (YC03030G) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (7件)： 水素 ,  大気中 ,  導電性 ,  ドープ ,  FTO ,  薄膜 ,  スパッタ蒸着