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J-GLOBAL ID：201702278449501983   整理番号：17A0406868

MgO,LaAlO_3とSrTiO_3基板上に堆積したLa_0 9Sr_0 1MnO_3薄膜のエピタキシャル成長と輸送特性【Powered by NICT】

Epitaxial growth and transport property of La_0.9Sr_0.1MnO₃ thin films deposited on MgO, LaAlO₃ and SrTiO₃ substrates

著者 (5件)： Wang C.B. (State Key Lab of Advanced Technology for Materials Synthesis and Processing, Wuhan University of Technology, Wuhan, 430070, China) ,  Zhu Y.X. (State Key Lab of Advanced Technology for Materials Synthesis and Processing, Wuhan University of Technology, Wuhan, 430070, China) ,  Li L. (State Key Lab of Advanced Technology for Materials Synthesis and Processing, Wuhan University of Technology, Wuhan, 430070, China) ,  Shen Q. (State Key Lab of Advanced Technology for Materials Synthesis and Processing, Wuhan University of Technology, Wuhan, 430070, China) ,  Zhang L.M. (State Key Lab of Advanced Technology for Materials Synthesis and Processing, Wuhan University of Technology, Wuhan, 430070, China)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 693  ページ： 832-836  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： La_0 9Sr_0 1MnO_3(LSMO)薄膜を,パルスレーザ蒸着により(100)配向MgO,LaAlO_3とSrTiO_3基板上に成長させた,膜のエピタキシャル成長,電気抵抗率および輸送挙動に及ぼす基板との格子不整合の影響を検討した。X線回折パターンと極点図は,LSMO薄膜は三種類の基板上にエピタキシャル成長させた,配向関係はLSMO(100)[010]//基板(100)[010]であることが分かったことを示した。電気抵抗率の測定は,LSMO薄膜が半導体に特徴的なものであり,輸送メカニズムは小ポーラロンホッピング(SPH)モデルによって支配されていることを示した。MgOとLaAlO_3基板と比較して,SrTiO_3基板上に成長させたLSMO薄膜は,より低い抵抗率そしてより小さな伝導率ホッピングエネルギーを示し,Jahn-Teller歪を減少する傾向があった膜/基板界面では格子不整合に起因し,それ故,電荷キャリアの局在化は減少した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電気抵抗率 ,  半導体 ,  *薄膜 ,  界面 ,  格子不整合 ,  ホッピング伝導 ,  X線回折 ,  パルスレーザ蒸着 ,  極点図 ,  *酸化マグネシウム
準シソーラス用語： 局在化 ,  電荷キャリア ,  伝導率 ,  小さなポーラロン ,  *輸送特性 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： La_0 9Sr_0 1MnO_3薄膜 ,  パルスレーザ蒸着 ,  輸送特性 ,  格子不整合

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  酸化物結晶の磁性  (BM06050E)

タイトルに関連する用語 (5件)： MgO ,  堆積 ,  薄膜 ,  エピタキシャル成長 ,  輸送特性