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J-GLOBAL ID：201702278465227044   整理番号：17A1092063

CuGa_3S_5,CuGa_3Se_5とCuIn_3(S,Se)-5とCuGa_3(S,Se)5系の結晶学的および光学的性質【Powered by NICT】

Crystallographic and optical properties of CuGa₃S₅, CuGa₃Se₅ and CuIn₃(S,Se)₅ and CuGa₃(S,Se)₅ systems

著者 (3件)： Ueda Kenta (Ryukoku University, Department of Materials Chemistry, Otsu, Shiga 5202194, Japan) ,  Maeda Tsuyoshi (Ryukoku University, Department of Materials Chemistry, Otsu, Shiga 5202194, Japan) ,  Wada Takahiro (Ryukoku University, Department of Materials Chemistry, Otsu, Shiga 5202194, Japan)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 633  ページ： 23-30  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： CuIn_3(S_xSe_1x)_5とCuGa_3(S_xSe_1x)5システムとその光学的性質の固溶体領域を明らかにするために,メカノケミカルプロセスと後熱処理によるCuIn_3(S,Se)5とCuGa_3(S,Se)5試料を調製した。正方晶系硫すず鉱型構造をもつ単相固溶体は0≦x<0.1のCuIn_3(S_xSe_1x)5で得られなかった。一方,0.0≦x≦1.0のCuGa_3(S_xSe_1x)5に対して正方晶系硫すず鉱型構造を有する単相固溶体を得ることに成功した。CuGa_3(S_xSe_1x)5系の固溶体領域はCuIn_3(S_xSe_1x)5系のそれよりもはるかに広かった。CuGa_3(S_xSe_1x)5固溶体のバンドギャップエネルギーはCuGa_3S_5(x=1.0)のCuGa_3Se_5(x=0.0)~2.58eVの1.85eVから直線的に増加した。価電子帯最大(VBMs)のエネルギー準位を光電子収率分光法(PYS)により測定したイオン化エネルギーから推定した。黄錫鉱型CuGa_3Se_5(5.69eV)のイオン化エネルギーはCuIn_3Se_5(5.65eV)のそれとほぼ等しかった。CuGa_3(S_xSe_1x)5固溶体のVBMsのエネルギー準位はS含有量の増加とともに減少し,S/(S+Se)比。CuGa_3(S_xSe_1x)5の伝導帯極小(CBM)レベルはS/(S+Se)比に伴ってほとんど一定である。CuIn_3Se_5,CuGa_3Se_5,CuGa_3S_5とCuGa_3(S,Se)5固溶体は,CIGS太陽電池のバッファ層と吸収体層の間の界面における価電子帯オフセット(ΔE_V)および伝導帯オフセット(Δ_c)を制御するために有用であると期待される。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： オフセット ,  バッファ層 ,  イオン化ポテンシャル ,  正方晶系 ,  吸収体 ,  価電子バンド ,  *光学的性質 ,  バンドギャップ ,  伝導バンド ,  界面 ,  エネルギー準位 ,  固溶体 ,  単相
準シソーラス用語： CIGS太陽電池 ,  バンドギャップエネルギー , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (8件)： CuIn_3Se_5 ,  CuGa_3Se_5 ,  スタンナイト ,  イオン化エネルギー ,  光電子放出収量分光法 ,  価電子帯極大 ,  伝導帯極小 ,  バンドギャップ

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (3件)： Se ,  結晶学 ,  光学的性質