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J-GLOBAL ID：201702278568723081   整理番号：17A1761852

シリコンにおける結晶欠陥制御の要約

Summary of Crystalline Defects Control in Silicon

著者 (2件)： SHIMIZU Hirofumi (Nihon Univ.) ,  INOUE Tomoaki (Nihon Univ.)
資料名： 日本大学工学部紀要  (Journal of the College of Engineering, Nihon University)
巻： 59  号： 1  ページ： 1-34  発行年： 2017年09月25日 
JST資料番号： G0810A  ISSN： 1343-2885  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本報告では,シリコン(Si)におけるプロセス誘発微小欠陥,酸化誘起積層欠陥,酸素析出,塑性変形および/または反り(熱誘導および/または重力誘導転位),ゲッタリング,結晶起源粒子などを制御するための主要なシリコンSi結晶の課題を要約し,1910年代から2010年代までの集積回路から超大規模集積化におけるSiマイクロエレクトロニクスの進化と並行してSi結晶の制御された点欠陥を展望する。さらに,1980年代から2010年代にかけてのSi結晶成長での点欠陥ジレンマに関する最近の研究も展望する。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ケイ素 ,  マイクロエレクトロニクス ,  超LSI ,  ゲッタリング ,  半導体プロセス ,  塑性変形 ,  *積層欠陥 ,  結晶成長 ,  *点欠陥 ,  酸素 ,  反り ,  微粒子 ,  微細構造 ,  熱影響 ,  最適制御 ,  転位【結晶】

分類 (1件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (2件)： シリコン ,  結晶欠陥