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J-GLOBAL ID：201702278611227089   整理番号：17A0855304

層状結晶の表面上の単原子層ステップの迅速生成に基づくステップ高さ標準【Powered by NICT】

Step-height standards based on the rapid formation of monolayer steps on the surface of layered crystals

著者 (5件)： Komonov A.I. (Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch of the Russian Academy of Sciences (ISP SBRAS), pr. Lavrentieva 13, Novosibirsk 630090, Russia) ,  Prinz V.Ya. (Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch of the Russian Academy of Sciences (ISP SBRAS), pr. Lavrentieva 13, Novosibirsk 630090, Russia) ,  Seleznev V.A. (Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch of the Russian Academy of Sciences (ISP SBRAS), pr. Lavrentieva 13, Novosibirsk 630090, Russia) ,  Kokh K.A. (Sobolev Institute of Geology and Mineralogy, Siberian Branch of the Russian Academy of Sciences (IGM SB RAS), pr. Koptyuga 3, Novosibirsk 630090, Russia) ,  Shlegel V.N. (Nikolaev Institute of Inorganic Chemistry, Siberian Branch of the Russian Academy of Sciences (NIIC SB RAS), pr. Lavrentieva 3, Novosibirsk 630090, Russia)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 410  ページ： 1-7  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 計測は,ナノテクノロジーに必須であり,特にnmまで行く特徴サイズをもつ構造とデバイス。走査型プローブ顕微鏡(SPM)はナノメータやサブナノメータスケール物体の測定を可能にした。SPMを用いて行ったサイズ測定の精度は,使用されたキャリブレーション測定の精度によって定義されている。本発表では,単分子層ステップ(~1と~0.6nm)の高さ標準はBi_2Se_3とZnWO_4層状単結晶を切断することにより容易に調製できることを実証した。Bi_2Se_3結晶の導電性表面はSTMを較正するための導電性SPMプローブを試験するための適切な高さ標準提供することが示された。新たにへき開した(0001)Bi_2Se_3表面形態のA FM研究では,このような表面は少なくとも半年の期間中の原子的に平滑なままであったことを証明した。ZnWO_4結晶の(010)表面は1日中の原子的に平滑なままであったが,すでに二日後に振幅~0.3nmの追加ナノレリーフはそれらの表面に出現した。レリーフが,高さ成長しなかった,キャリブレーションを妨害しなかった。,それらの高い安定性だけでなく,単純さとステップ高さ標準の迅速な作製の可能性は,これらの基準は,3D印刷活性に関与する利用者の大きな,恒久的に増大する数のための利用できるようにした。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 走査型プローブ顕微鏡 ,  導電性 ,  *結晶 ,  走査型トンネル顕微鏡 ,  *単原子層 ,  単分子層 ,  プローブ ,  ナノテクノロジー ,  単結晶
準シソーラス用語： 三次元印刷 ,  レリーフ ,  表面形態 ,  ナノメータ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (7件)： 測定較正 ,  単分子層ステップ ,  層状結晶 ,  走査型プローブ顕微鏡(SPM) ,  原子間力顕微鏡(A FM) ,  走査型トンネル顕微鏡(STM) ,  Bi_2Se_3とZnWO_4

分類 (4件)： 下水,廃水の化学的処理  (SC03050W) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  光化学一般  (CB08010U) ,  半導体の表面構造  (BK15030A)

タイトルに関連する用語 (3件)： 単原子層 ,  高さ ,  標準