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J-GLOBAL ID：201702278695849901   整理番号：17A1424625

非磁性逆ホイスラー半導体Sc_2FeSiとSc_2FeGeの電子及び熱電特性【Powered by NICT】

Electronic and thermoelectric properties of nonmagnetic inverse Heusler semiconductors Sc₂FeSi and Sc₂FeGe

著者 (10件)： Li Jie (School of Science, Hebei University of Technology, Tianjin 300401, People’s Republic of China) ,  Yang Guang (School of Science, Hebei University of Technology, Tianjin 300401, People’s Republic of China) ,  Yang Yanmin (School of Science, Hebei University of Technology, Tianjin 300401, People’s Republic of China) ,  Ma Hongran (School of Science, Hebei University of Technology, Tianjin 300401, People’s Republic of China) ,  Zhang Qiang (School of Science, Hebei University of Technology, Tianjin 300401, People’s Republic of China) ,  Zhang Zhidong (School of Science, Hebei University of Technology, Tianjin 300401, People’s Republic of China) ,  Fang Wei (Research Institute for Energy Equipment Materials, Hebei University of Technology, Tianjin 300401, People’s Republic of China) ,  Yin Fuxing (Research Institute for Energy Equipment Materials, Hebei University of Technology, Tianjin 300401, People’s Republic of China) ,  Li Jia (School of Science, Hebei University of Technology, Tianjin 300401, People’s Republic of China) ,  Li Jia (Research Institute for Energy Equipment Materials, Hebei University of Technology, Tianjin 300401, People’s Republic of China)
資料名： Journal of Magnetism and Magnetic Materials  (Journal of Magnetism and Magnetic Materials)
巻： 442  ページ： 371-376  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0644A  ISSN： 0304-8853  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二非磁性Hg_2CuTi型またはと呼ばれる逆ホイスラー半導体Sc_2FeSiとSc_2FeGeの電子および熱電特性を第一原理計算およびBoltzmann輸送理論を用いて予測した。Sc_2FeSiとSc_2FeGeのバンドギャップはそれぞれ0.54eV及び0.60eVであった。その零全magneticmomentsは両M_t=Z_t18がM_t=Z_t24則を満たす。良好な熱電特性を電子ドーピングの条件下で達成した。室温300Kでは,Seebeck係数のピーク値はSc_2FeSi 592.02μVK~ 1,および電子ドーピングによるSc_2FeGe 609.38μVK~ 1であった。最大パワーファクターは,電子ドーピング濃度2.29×10~26m~ 3と2.42×10~26m~ 3Sc_2FeGeのSc_2FeSiと47.11(10~14 μWcm~ 1 K~ 2 s~ 1)48.77(10~14 μWcm~ 1 K~ 2 s~ 1),それぞれはよく知られている熱電材料Bi_2Te_3の力率,熱電素子のための値を適用することの可能性を示したに近かった。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 熱電素子 ,  輸送理論 ,  ピーク値 ,  バンドギャップ ,  *磁性 ,  力率 ,  第一原理 ,  *半導体 ,  熱電材料 ,  計算
準シソーラス用語： Seebeck係数 ,  電子ドーピング ,  第一原理計算 ,  *非磁性 ,  *熱電特性 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： ホイスラー合金 ,  熱電特性 ,  Semiconductors ,  第一原理

分類 (1件)： 金属結晶の磁性  (BM06040T)

タイトルに関連する用語 (4件)： 非磁性 ,  ホイスラー ,  電子 ,  熱電特性