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J-GLOBAL ID:201702278704416592   整理番号:17A0661425

単結晶状ジグザグシリコンナノワイヤばねへの面内セルフチューニングと双晶動力学は大きな延伸性【Powered by NICT】

In-Plane Self-Turning and Twin Dynamics Renders Large Stretchability to Mono-Like Zigzag Silicon Nanowire Springs
著者 (14件):
資料名:
巻: 26  号: 29  ページ: 5352-5359  発行年: 2016年 
JST資料番号: W1336A  ISSN: 1616-301X  CODEN: AFMDC6  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: ドイツ (DEU)  言語: 英語 (EN)
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低温(<350 °C)薄膜技術により作製した,結晶性Siナノワイヤ(SiNW)ばねを伸縮性エレクトロニクスのための理想的なビルディングブロックである。ここでは,新しい環状結晶学的指数低下自己回転と双晶動力学を報告し,SiNWのスズ触媒による面内成長,外部パラメトリック介入のない周期的ジグザグSiNWをもたらすである。より興味深いことに,ユニークな双晶反射インタレース結晶ドメイン構造を初めて同定されている,in situおよびリアルタイム走査電子顕微鏡観察は,完全なジグザグ成長サイクルをリセットする鍵であることを新しい双晶誘発成長機構を明らかにした。SiNWばねの直接「応力-ひずみ」試験は引張荷重下で12%の大きな伸縮性を示し,高性能伸縮性エレクトロニクスのためのモノ様SiNWチャンネルを設計するための全く新しい戦略と能力を示した。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (2件):
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導体材料  ,  固体デバイス材料 

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