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J-GLOBAL ID：201702278798732592   整理番号：17A1391404

検出器応用のためのハイブリッドプレーナドープポテンシャル井戸障壁ダイオード【Powered by NICT】

A Hybrid Planar-Doped Potential-Well Barrier Diode for Detector Applications

著者 (3件)： Akura Mise (Department of Electrical and Electronic Engineering, School of Engineering, University of Aberdeen, Aberdeen, U.K.) ,  Dunn Geoffrey (Department of Physics, School of Natural and Computing Sciences, University of Aberdeen, Aberdeen, U.K.) ,  Missous Mohamed (Department of Electrical and Electronic Engineering, School of Engineering, University of Manchester, Manchester, U.K.)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 64  号： 10  ページ： 4031-4035  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： PWBとプレーナドープ障壁(PDB)ダイオードの両方の特性を利用したプロトタイプ新しいプレーナドープポテンシャル井戸障壁(PWB)ダイオード概念の設計と実験的証明の原理を提示した。高ドープ(Be)シート電荷とポテンシャル井戸は真性領域内でほぼ同じ位置で非対称挿入障壁を形成した。ハイブリッドデバイスはδドーピングは望ましい最小障壁高さを達成するために使用されるように設計されているが,ポテンシャル井戸中の電荷の活性な性質を用いて,素子の逆バイアス性能を向上させることである。ダイオードは10GHzで1.36の理想因子と10900V/Wの対応する電圧応答を達成した。この種のダイオードは有望なRF信号検出を示し,ヘテロダイン応用に用いることができる。0.72Vのバイアスとカットオフ周波数47.4GHzで21.2V~ 1の推定曲率係数を実現した。シミュレーションと実験の結果は優れた一致と等価PDBダイオードと比較してI V特性における改善された非対称挙動を示した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： プロトタイプ ,  バイアス ,  δドーピング ,  電圧 ,  *ドーピング ,  遮断周波数 ,  *検出器 ,  電荷 ,  *ダイオード ,  非対称性 ,  電流電圧特性
準シソーラス用語： RF信号 ,  理想因子 ,  逆バイアス ,  障壁高さ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  ダイオード  (NC03050R)

タイトルに関連する用語 (5件)： 検出器 ,  応用 ,  井戸 ,  障壁 ,  ダイオード