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J-GLOBAL ID：201702278818888411   整理番号：17A0908236

最適化されたほう素をドープしたnc-Siによる太陽電池性能の改善::H/a-SiC:H超格子窓層【Powered by NICT】

The improvement of solar cells performance by optimized boron doped nc-Si:H/a-SiC:H superlattice window layer

著者 (4件)： Ma Jun (School of Electronic Information Engineering, Tianjin Key Laboratory of Film Electronic & Communication Devices, Tianjin University of Technology, Tianjin 300384, China) ,  Yuan Yujie (School of Electronic Information Engineering, Tianjin Key Laboratory of Film Electronic & Communication Devices, Tianjin University of Technology, Tianjin 300384, China) ,  Yang Zhengchun (School of Electronic Information Engineering, Tianjin Key Laboratory of Film Electronic & Communication Devices, Tianjin University of Technology, Tianjin 300384, China) ,  Zhang Kailiang (School of Electronic Information Engineering, Tianjin Key Laboratory of Film Electronic & Communication Devices, Tianjin University of Technology, Tianjin 300384, China)
資料名： Surface & Coatings Technology  (Surface & Coatings Technology)
巻： 320  ページ： 483-488  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0205C  ISSN： 0257-8972  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シリコン薄膜太陽電池の理想的な窓層は多くの機能を果たすべきである,高透明性,高伝導率と反射防止性質のような。本論文では,150°Cでプラズマ増強化学蒸着(PECVD)により作製したp型nc-Si:H/a-SiC:H量子ドット超格子(QDSLs)膜を報告した。高分解能透過型電子顕微鏡研究とPLスペクトルは,a-SiC:Hマトリックスで分離されたシリコン量子ドットの超格子構造を確認した。QDSLsを作製するためのこの簡単で効率的な方法は,ポテンシャル井戸とポテンシャル障壁の特性の独立制御を可能にした。シミュレーションと実験結果の両方は高い透明度と反射防止を同時に適切な組成分率と結晶化率QDSLs膜で得られることを示した。最適化されたnc-Si:H/a-SiC:H QDSLs窓層を適用して,開回路電圧と短絡電流の有意な改善は,非晶質シリコン太陽電池で達成された。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： プラズマCVD ,  *太陽電池 ,  ポテンシャル障壁 ,  *最適化 ,  短絡電流 ,  量子ドット ,  *超格子 ,  透明度 ,  *ホウ素 ,  *ケイ素
準シソーラス用語： シリコン太陽電池 ,  開回路電圧 ,  光ルミネセンススペクトル ,  反射防止 ,  薄膜太陽電池 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 超格子 ,  界面不動態化 ,  量子ドット ,  非晶質シリコン太陽電池

分類 (1件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (10件)： 最適化 ,  ほう素 ,  ドープ ,  NC ,  Si ,  太陽 ,  電池性能 ,  SiC ,  超格子 ,  窓