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J-GLOBAL ID：201702278933606239   整理番号：17A1250055

2次元アルカリ土類金属水酸化物グラフェンヘテロ構造の電気磁場調節可能な電子構造【Powered by NICT】

Electric field-tunable electronic structures of 2D alkaline-earth metal hydroxide-graphene heterostructures

著者 (8件)： Xia Congxin (Department of Physics, Henan Normal University, Xinxiang, Henan 453007, China. [e-mail]) ,  Gao Qiang ,  Xiong Wenqi ,  Du Juan ,  Zhao Xu ,  Wang Tianxing ,  Wei Zhongming ,  Li Jingbo
資料名： Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices  (Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices)
巻： 5  号： 29  ページ： 7230-7235  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2383A  ISSN： 2050-7526  CODEN： JMCCCX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 第一原理計算に基づいて,2次元アルカリ土類金属水酸化物X(OH)/グラフェン(X=Ca, Mg)ヘテロ構造の電子構造を研究した。結果は,X(OH)2のバンドギャップの大きさとグラフェンのDirac円錐の特性はよく保存されていると,小さいSchottky障壁高さ(SBH)を持つp型Schottky障壁を,ヘテロ多層中に形成されることを示した。さらに,二重DiracコーンもX(OH)2/bilayerグラフェン(X(OH)2/blg)例に見られた。興味深いことに,負電場はOhm接触にp型Schottkyから遷移を容易に誘起できるが,p型とn型Schottky遷移は正電場により実現できる。添加では,Schottky障壁の電場変調はX(OH)2/blgシステムでより敏感であった。これらの研究は,Schottkyデバイスの作製における構築ブロックとしてのX(OH)/グラフェンを使用する可能性を開く可能性がある。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *グラフェン ,  Ohm接触 ,  *二次元 ,  Schottky障壁 ,  バンドギャップ ,  *アルカリ土類金属 ,  多層 ,  *磁場 ,  計算 ,  *水酸化物 ,  電場 ,  *電子構造
準シソーラス用語： Schottky障壁高さ ,  Diracコーン ,  第一原理計算 ,  *ヘテロ構造 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (8件)： 2次元 ,  アルカリ土類 ,  金属水酸化物 ,  グラフェン ,  ヘテロ構造 ,  磁場 ,  調節 ,  電子構造