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J-GLOBAL ID：201702278941775087   整理番号：17A1489408

RF増幅器中心周波数抽出のための単一MOSFET DC熱センサ【Powered by NICT】

Single-MOSFET DC thermal sensor for RF-amplifier central frequency extraction

著者 (7件)： Reverter Ferran (Department of Electronic Engineering, Universitat Politecnica de Catalunya (UPC)-BarcelonaTech, 08034 Barcelona, Spain) ,  Perpina Xavier (Institut de Microelectronica de Barcelona, IMB-CNM (CSIC), Campus UAB, Carrer dels Til lers, 08193 Cerdanyola, Spain) ,  Barajas Enrique (Department of Electronic Engineering, Universitat Politecnica de Catalunya (UPC)-BarcelonaTech, 08034 Barcelona, Spain) ,  Leon Javier (Institut de Microelectronica de Barcelona, IMB-CNM (CSIC), Campus UAB, Carrer dels Til lers, 08193 Cerdanyola, Spain) ,  Vellvehi Miquel (Institut de Microelectronica de Barcelona, IMB-CNM (CSIC), Campus UAB, Carrer dels Til lers, 08193 Cerdanyola, Spain) ,  Jorda Xavier (Institut de Microelectronica de Barcelona, IMB-CNM (CSIC), Campus UAB, Carrer dels Til lers, 08193 Cerdanyola, Spain) ,  Altet Josep (Department of Electronic Engineering, Universitat Politecnica de Catalunya (UPC)-BarcelonaTech, 08034 Barcelona, Spain)
資料名： Sensors and Actuators. A. Physical  (Sensors and Actuators. A. Physical)
巻： 264  ページ： 157-164  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0345C  ISSN： 0924-4247  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 単一金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)に基づくDC熱センサは,埋め込まれた回路の高周波電気特徴を抽出するために提案した。MOSFETセンサはテスト下回路(CUT)をモノリシックに集積した,カットによって散逸されるDC電力,高周波電気的情報を運ぶは熱により監視する。本試験手法の背後にある理論を説明した後,本論文では,シミュレーションと実験により提案したMOSFETセンサの実現可能性を実証した。これらはCUTとしてラジオ周波数(RF)電力増幅器を用い,熱的にその中心周波数(440MHz)の抽出を行った。MOSFETセンサ結果を参照として赤外カメラを用いて評価した。提案した検出法の主な利点は,集積回路(IC)レイアウト面積に及ぼす影響は最小であり,RF-ICを試験するときに重要である。さらに,以前の研究と比較して,必要な計装のコストと複雑性は低かった。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *MOSFET ,  検出法 ,  *周波数 ,  集積回路 ,  HF【周波数】 ,  *増幅器 ,  電力増幅器 ,  酸化物 ,  *センサ ,  赤外線カメラ ,  半導体 ,  温度センサ ,  電力
準シソーラス用語： *熱センサ ,  *中心周波数 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： IC試験 ,  MOSFET ,  RF試験 ,  温度センサ ,  熱的結合 ,  熱試験

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (5件)： RF増幅器 ,  中心周波数 ,  MOSFET ,  DC ,  熱センサ