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J-GLOBAL ID：201702278965821544   整理番号：17A1460234

金属/TiO_2ナノプレートの水素ガス感度に及ぼすSchottky障壁の高さの影響【Powered by NICT】

Effect of Schottky barrier height on hydrogen gas sensitivity of metal/TiO₂ nanoplates

著者 (3件)： Kumar Mohit (Department of Electrical Engineering, Indian Institute of Technology Jodhpur, Jodhpur, 342011, India) ,  Bhati Vijendra Singh (Department of Physics, Indian Institute of Technology Jodhpur, Jodhpur, 342011, India) ,  Kumar Mahesh (Department of Electrical Engineering, Indian Institute of Technology Jodhpur, Jodhpur, 342011, India)
資料名： International Journal of Hydrogen Energy  (International Journal of Hydrogen Energy)
巻： 42  号： 34  ページ： 22082-22089  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0192B  ISSN： 0360-3199  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： アナターゼ相が支配的なTiO_2ナノプレートを,高周波マグネトロンスパッタリング法によりp-Si上に堆積した。金属TiO_2ナノプレート金属(M TN M)平面電極はAl,Ag,Ni,及びAuなどの様々な金属電極を用いて作製した。M TN Mデバイスの温度依存電流-電圧(I V)特性を空気と1%水素雰囲気中で測定した。温度による空気と増加と比較して,金属とTiO_2ナノプレートの間の障壁高さは,水素の存在で減少した。デバイスのセンシング応答は障壁高さと動作温度の変化に強く依存した。相対応答はオーミックAl電極に対して~46%観察された。有効障壁高さは,175°CでAu電極のためのAg,Niの~0.17eVと~0.19eV~0.15eVであると測定し,相対応答における対応する変化は~49%,~58%,~77%をそれぞれ測定した。最高感度素子(Au TN Au)に対する応答と回復時間は175°Cの運転温度でそれぞれ~7と114sであることが分かった。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電流 ,  *Schottky障壁 ,  *金 ,  電圧 ,  アナターゼ ,  *水素 ,  アルミニウム ,  空気 ,  温度依存性
準シソーラス用語： 回復時間 ,  動作温度 ,  障壁高さ ,  金属電極 ,  RFマグネトロンスパッタリング ,  *ナノプレート , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： TiO_2 ,  Nanostructures ,  Schottky障壁の高さ ,  ガスセンサ

分類 (1件)： 気体燃料の製造  (YE02030F)

タイトルに関連する用語 (4件)： ナノプレート ,  水素 ,  ガス感度 ,  Schottky障壁