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J-GLOBAL ID:201702279007697992   整理番号:17A0851400

シリコン太陽電池のためのフェムト秒レーザ構造化めっきNi Cu Ag接触における酸化物界面【Powered by NICT】

Interface oxides in femtosecond laser structured plated Ni-Cu-Ag contacts for silicon solar cells
著者 (7件):
資料名:
巻: 166  ページ: 197-203  発行年: 2017年 
JST資料番号: D0513C  ISSN: 0927-0248  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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Ni Cu Agスタックの光誘起めっきは高効率で潜在的低コスト太陽電池メタライゼーションを可能にした。接触構造の定義は,太陽電池表面不動態化層の局所的レーザアブレーションにより行った。フェムト秒パルスUVレーザを用いてアブレーションによる結晶損傷はレーザ構造化の他のアプローチに関して最小化した。提示した研究ではフェムト秒構造化シリコン上のめっき接点は電気的および機械的性質を評価した。結果は,接触抵抗は集合組織化した太陽電池表面上のフェムト秒パルスレーザアブレーションが形成されることを高度に不均一な界面酸化物層によって決定されることを示した。シリコン/ニッケル接触界面のシリサイド化は接着と低い接触抵抗に必須であると仮定した。しかし,提示した結果は,フェムト秒レーザ構造化表面上に播種した接触の機械的接着をレーザ誘起微細構造により保証される,界面酸化物は完全に溶解すると低い接触抵抗と高いフィルファクタを達成したことを示した。,金属蒸着前の表面特性を制御するフェムト秒パルスレーザ構造化シリコン上のめっき接点に不可欠であり,一方,ケイ化物形成は過剰である可能性がある。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (1件):
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太陽電池 

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