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J-GLOBAL ID：201702279039283673   整理番号：17A0449278

In_2 xM_xTeO_6(M=Ga, Bi, La)の結晶構造,光学特性,およびバンド構造計算に関する研究【Powered by NICT】

Investigation on crystal structures, optical properties, and band structure calculations of In_2-xM_xTeO₆ (M = Ga, Bi, La)

著者 (9件)： Jiamprasertboon Arreerat (School of Chemistry, Institute of Science, Suranaree University of Technology, 111 University Avenue, Muang, Nakhon Ratchasima, 30000, Thailand) ,  Kongnok Thanundon (School of Physics, Institute of Science, Suranaree University of Technology, 111 University Avenue, Muang, Nakhon Ratchasima, 30000, Thailand) ,  Jungthawan Sirichok (School of Physics, Institute of Science, Suranaree University of Technology, 111 University Avenue, Muang, Nakhon Ratchasima, 30000, Thailand) ,  Jungthawan Sirichok (NANOTEC-SUT Center of Excellence on Advanced Functional Nanomaterials, Suranaree University of Technology, 111 University Avenue, Muang, Nakhon Ratchasima, 30000, Thailand) ,  Kidkhunthod Pinit (Synchrotron Light Research Institute, Nakhon Ratchasima, 30000, Thailand) ,  Chanlek Narong (Synchrotron Light Research Institute, Nakhon Ratchasima, 30000, Thailand) ,  Siritanon Theeranun (School of Chemistry, Institute of Science, Suranaree University of Technology, 111 University Avenue, Muang, Nakhon Ratchasima, 30000, Thailand) ,  Siritanon Theeranun (NANOTEC-SUT Center of Excellence on Advanced Functional Nanomaterials, Suranaree University of Technology, 111 University Avenue, Muang, Nakhon Ratchasima, 30000, Thailand) ,  Siritanon Theeranun (Center of Excellence-Advanced Functional Materials, Suranaree University of Technology, 111 University Avenue, Muang, Nakhon Ratchasima, 30000, Thailand)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 702  ページ： 601-610  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： M置換In_2TeO_6(M=Ga~3+,Bi~3+およびLa~3+)の構造,光学特性,およびバンド構造の研究を提示した。各カチオンの溶解度限界は10%から異なる変化はLa~3+20%,Ga~3+及び25%Bi~3+。XANESとXPSの両方が,Bi~3+およびTe~6+の酸化状態を確認した。結合長と結合角の結晶学的データは,すべての試料でM O_6八面体の大きな歪を示唆しないが,Biにおけるstereoactive6S~2孤立電子対はIn/BiO_6におけるIn/Biカチオンを引き起こす八面体の一端にシフトした。バンド構造計算は全ての一連の基本的なバンドギャップエネルギーは直接許容遷移に起因することを明らかにするために有用である。興味深いことに,Biは伝導バンド分散に大きく影響するとBi系6S状態は価電子帯の頂上におけるさらに寄与し,一方他のMドープおよび非ドープ試料の価電子帯は主としてOの零二pと4d特性。すべての化合物は同様に光ルミネセンス特性を示した。強いPLピークはバンド端近傍遷移に由来し,Te~6+O電荷移動からの広いピークは全ての試料で観察された。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 結合角 ,  光ルミネセンス ,  孤立電子対 ,  XANES ,  価電子バンド ,  *バンド構造 ,  八面体 ,  電荷移動 ,  核間距離 ,  ドーピング ,  *ビスマス ,  *構造計算 ,  伝導バンド
準シソーラス用語： バンドギャップエネルギー ,  酸化状態 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： Oxides ,  結晶構造 ,  バンド構造計算 ,  光学的性質 ,  構造-特性関係

分類 (2件)： ガラスの性質・分析・試験  (YC02030Z) ,  絶縁体結晶の電子構造  (BM02070Y)

タイトルに関連する用語 (7件)： Bi ,  La ,  結晶構造 ,  光学特性 ,  バンド構造 ,  計算 ,  研究