文献

J-GLOBAL ID：201702279057416941   整理番号：17A0470309

熱アニーリングは電子ビーム真空蒸着したCdZnTe薄膜の物理的性質を誘導する【Powered by NICT】

Thermal annealing induced physical properties of electron beam vacuum evaporated CdZnTe thin films

著者 (4件)： Chander Subhash (Department of Physics, Mohanlal Sukhadia University, Udaipur 313001, India) ,  Chander Subhash (Microelectronics Research Center, Iowa State University of Science and Technology, Ames, IA 50011, USA) ,  Dhaka M.S. (Department of Physics, Mohanlal Sukhadia University, Udaipur 313001, India) ,  Dhaka M.S. (Microelectronics Research Center, Iowa State University of Science and Technology, Ames, IA 50011, USA)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 625  ページ： 131-137  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電子ビーム真空蒸着したCdZnTe薄膜の熱アニーリング誘起された物理的性質を本研究で調べた。厚さ300nmの膜は100°C,200°Cと300°Cでインジウムすず酸化物被覆ガラス基板とその後の熱アニーリングによる上に堆積した。清浄なそしてアニールした膜は,それぞれ構造,光学的,電気的および元素組成分析のためのX線回折,紫外-可視分光光度計,Fourier変換赤外(FTIR)分光法,源計とエネルギー分散分光法を行った。構造分析は,膜は優先方位(111)を持つ立方晶配向した多結晶構造を持つことを明らかにした。光吸光度はアニーリングにより増加することを見出しているが,光学エネルギーバンドギャップは減少した。吸収係数,屈折率,誘電率及びエネルギー損失関数のような種々の光学定数をHerve Vandammeモデル,誘電理論,Swanepoelモデルを用いて計算し,考察した。FTIR研究は,吸収強度はアニーリング温度と共に増加していることを示している。元素分析は,蒸着膜中のCd,ZnおよびTe元素の存在を明らかにした。電流 電圧試験が電気伝導率は熱アニーリングと共に増加することを示した。結果は,太陽電池応用のためのアニールした膜の要求挙動を明らかにした。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *電子ビーム ,  バンドギャップ ,  多結晶 ,  *真空蒸着 ,  蒸着膜 ,  吸収係数 ,  スズ ,  電気伝導率 ,  光学定数 ,  X線回折 ,  *テルル ,  構造解析 ,  *焼なまし ,  優先配向
準シソーラス用語： *熱アニーリング , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： CdZnTe薄膜 ,  電子ビーム真空蒸着 ,  XRD ,  光学的性質 ,  FTIR ,  電気的性質

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (7件)： 熱アニーリング ,  電子ビーム ,  真空蒸着 ,  CdZnTe ,  薄膜 ,  物理的性質 ,  誘導