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J-GLOBAL ID：201702279064798990   整理番号：17A0407450

Si(Ge)合金を用いたNi反応の第一段階【Powered by NICT】

First stages of Ni reaction with the Si(Ge) alloy

著者 (6件)： De Luca Anthony (Aix-Marseille Univ., IM2NP UMR 7334, Faculte des Sciences et Techniques, Campus de Saint-Jerome, Avenue Escadrille Normandie Niemen - Case 142, F-13397, Marseille Cedex, France) ,  Portavoce Alain (CNRS, IM2NP UMR 7334, Faculte des Sciences et Techniques, Campus de Saint-Jerome, Avenue Escadrille Normandie Niemen - Case 142, F-13397, Marseille Cedex, France) ,  Texier Michaeel (Aix-Marseille Univ., IM2NP UMR 7334, Faculte des Sciences et Techniques, Campus de Saint-Jerome, Avenue Escadrille Normandie Niemen - Case 142, F-13397, Marseille Cedex, France) ,  Burle Nelly (Aix-Marseille Univ., IM2NP UMR 7334, Faculte des Sciences et Techniques, Campus de Saint-Jerome, Avenue Escadrille Normandie Niemen - Case 142, F-13397, Marseille Cedex, France) ,  Mangelinck Dominique (CNRS, IM2NP UMR 7334, Faculte des Sciences et Techniques, Campus de Saint-Jerome, Avenue Escadrille Normandie Niemen - Case 142, F-13397, Marseille Cedex, France) ,  Isella Giovanni (LNESS - Politecnico di Milano, Polo Territoriale di Como, Via Anzani, 42, 22100, Como, Italy)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 695  ページ： 2799-2811  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Si(Ge)合金は,現在,相補型金属酸化物半導体(CMOS)技術に用いられる,デバイス性能を改善し,電力消費を減少させ,Siベースデバイスにおける応力工学を可能にした。Si(Ge)は,トランジスタのソース,ドレインおよびゲートに使用されているならば,第一レベル金属とSi(Ge)の間にOhm接触を形成する必要がある。電流SiベースCMOS技術では,Ohm接触をドープしたSiの薄いNi(Pt)層の反応で作製した,Si基板上の薄いNiSi層を形成するために目標としている。同様の過程はSi(Ge)に使用されるべきである。本研究では,Si(Ge)を持つNi反応の第一段階を高分解能透過電子顕微鏡とレーザ支援原子プローブトモグラフィーを用いて調べた。Ni/Si(Ge)反応の第一段階は,異なる構造,及び組成を示すNi(Si_1Ge_)ナノ粒子で作られたゲルマノシリサイド層の形成をもたらす。Ni(Si_1 Ge_x)相の形成は,60°Cという低い温度で起きた。ゲルマノシリサイド粒はSi(Ge)層を持つコヒーレント界面を示し,それらの成長の間,最初にSi(Ge)に位置するGe原子の分率はSi(Ge)層へのNi(Si_1 Ge_x)/Si(Ge)界面から押され,この界面でGeの蓄積をもたらした。この現象は100%までGe蓄積を引き起こし,ゲルマノシリサイド層内のGe純ナノ介在物の取込を促進する。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 界面 ,  ドーピング ,  *ニッケル ,  *ゲルマニウム ,  電力消費 ,  ナノ粒子 ,  *ケイ素 ,  介在物 ,  コヒーレンス ,  ケイ化物 ,  Ohm接触 ,  CMOS
準シソーラス用語： 原子プローブトモグラフィー ,  HRTEM ,  シリコンウエハ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： ニッケル ,  シリコン-ゲルマニウム ,  反応拡散 ,  Germanoシリサイド

分類 (4件)： その他の金属組織学  (WB01040Y) ,  変態組織,加工組織  (WB01030N) ,  機械的性質  (WB02030U) ,  金属相変態  (CB03020W)

タイトルに関連する用語 (5件)： Si ,  Ge ,  合金 ,  Ni ,  段階