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J-GLOBAL ID：201702279123145680   整理番号：17A0443966

非晶質シリコン薄膜トランジスタのための銅カルシウム拡散障壁に基づいたアニーリングなし銅ソース-ドレイン電極【Powered by NICT】

Annealing-free copper source-drain electrodes based on copper-calcium diffusion barrier for amorphous silicon thin film transistor

著者 (6件)： Yu Zhinong (School of Optoelectronics and Beijing Engineering Research Center of Mixed Reality and Advanced Display, Beijing Institute of Technology, Beijing 100081, China) ,  Xue Jianshe (Beijing BOE Optoelectronics Technology Co., Ltd, Beijing 100176, China) ,  Yao Qi (Beijing BOE Optoelectronics Technology Co., Ltd, Beijing 100176, China) ,  Hui Guanbao (Beijing BOE Optoelectronics Technology Co., Ltd, Beijing 100176, China) ,  Jiang Yurong (School of Optoelectronics and Beijing Engineering Research Center of Mixed Reality and Advanced Display, Beijing Institute of Technology, Beijing 100081, China) ,  Xue Wei (School of Optoelectronics and Beijing Engineering Research Center of Mixed Reality and Advanced Display, Beijing Institute of Technology, Beijing 100081, China)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 624  ページ： 106-110  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 水素化非晶質シリコン薄膜トランジスタ(α Si:H TFT)中のCuの応用を開発するために銅カルシウム(CuCa)拡散障壁に基づいた銅(Cu)ソース-ドレイン電極はアニーリング過程を持たないもの及び1つ湿式エッチング段階で作製した。結果はCuCaバッファ層を蒸着中の酸素流束と基板温度はソース-ドレイン電極の接着に大きく影響することを示し,完全な接着を150°Cに4sccmまたは基板温度の上昇に増加する酸素フラックスにより得られた,アニーリングプロセスにもかかわらずであった。ソース-ドレイン電極の比抵抗は酸素流束あるいは基板温度あるいはCuCa厚さのわずかな増加を示した。Auger電子分光法(AES)はCuCa合金障壁層はCu膜とα-Siの間の完全な抗拡散を持つことを示したにテーパ角43.4°とCu/CuCa電極のための0.91μmの臨界寸法(CD)バイアスが1工程の湿式エッチング・プロセス段階で得られた。Cu/CuCaソース-ドレイン電極を持つa-Si:H TFTは0.73cm~/Vsの電界効果移動度0.73decのサブ閾値傾斜, 0.45Vのしきい値電圧,及びアニーリングプロセスにもかかわらず所望の接着,比抵抗とテーパ角度をもつソース-ドレイン電極の優れた性能に起因する10~6のI_on/I_off比を示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *拡散障壁 ,  バッファ層 ,  *薄膜トランジスタ ,  電気抵抗率 ,  *焼なまし ,  バイアス ,  *銅 ,  Auger分光法 ,  *カルシウム ,  ウェットエッチング ,  *アモルファスシリコン ,  基板温度
準シソーラス用語： 閾値電圧 ,  電界効果移動度 ,  酸素フラックス , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 薄膜トランジスタ ,  銅メタライゼーション ,  銅カルシウム合金 ,  接着

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (8件)： 非晶質シリコン ,  薄膜トランジスタ ,  銅 ,  カルシウム ,  拡散障壁 ,  アニーリング ,  ソース ,  ドレイン