文献

J-GLOBAL ID：201702279158584195   整理番号：17A1836269

カーボンナノチューブ電界効果トランジスタの性能に及ぼす誘電体材料と酸化物の厚さの影響【Powered by NICT】

Impact of dielectric material and oxide thickness on the performance of Carbon Nanotube Field Effect Transistor

著者 (3件)： Shaukat Ayesha (Faculty of Information and Communication Technology, Balochistan University of Information Technology, Engineering and Management Sciences, Quetta, Pakistan) ,  Umer Rahila (Faculty of Information and Communication Technology, Balochistan University of Information Technology, Engineering and Management Sciences, Quetta, Pakistan) ,  Islam Naz (Electrical and Computer Engineering Department at the University of Missouri, USA)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： NANO  ページ： 250-254  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,バリスティック領域におけるカーボンナノチューブ電界効果トランジスタ(CNTFET)の性能を実証した。キャリア注入速度(v_inj),ドレイン誘起障壁低下(DIBL),サブ閾値スイング(SS),相互コンダクタンス(g_m),出力コンダクタンス(g_d)と電圧利得(Av)のようなデバイスの種々の性能パラメータに及ぼす誘電体材料と酸化物の厚さの影響を示した。結果は二酸化ケイ素(SiO_2)は最低のSSを有しているが,まだ,高いDIBL(ドレイン誘起障壁低下),より低いg_m,g_dおよびAvによるCNTFETにおける誘電体媒質として使用できないことを示した。一方,Zarconium酸化物(ZrO_2),酸化ハフニウム(HfO_2)と酸化チタン(TiO_2)はデバイスの誘電体媒質のための良好な選択肢であるように見える。変化の影響もデバイスのI-V特性で観測し,解析した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *誘電材料 ,  電流電圧特性 ,  相互コンダクタンス ,  *酸化物 ,  キャリア注入 ,  *誘電体 ,  二酸化ケイ素 ,  酸化チタン ,  酸化ハフニウム ,  コンダクタンス
準シソーラス用語： 電圧利得 ,  サブ閾値スイング ,  DIBL ,  *CNTFET , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： カーボンナノチューブ電界効果トランジスタ ,  誘電体材料 ,  酸化物 ,  厚さ